[发明专利]波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法

说明书

本发明涉及波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法，提供能够提高效率的波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法。根据实施方式，波导元件包括第1晶体区域以及第2晶体区域。所述第1晶体区域在第1方向上延伸，包括第1氮化物半导体。所述第2晶体区域在所述第1方向上延伸，包括第2氮化物半导体，并且与所述第1晶体区域连续。从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域的第2方向与所述第1方向交叉。所述第1晶体区域的＜0001＞方向是从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域。所述第2晶体区域的＜0001＞方向是从所述第2晶体区域向所述第1晶体区域。

本申请以日本专利申请2017-096573(申请日2017年5月15日)作为基础，基于该申请享受优先权。本申请通过参照该申请，包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法。

提出一种具有2个以上的光波导的波导元件。例如，该2个以上的光波导的非线性极化反转。通过波导元件，能够对入射的光的波长进行变换。在波导元件中，要求提高波长变换效率。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高效率的波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法。

根据本发明的实施方式，波导元件包括第1晶体区域以及第2晶体区域。所述第1晶体区域在第1方向上延伸，包括第1氮化物半导体。所述第2晶体区域在所述第1方向上延伸，包括第2氮化物半导体，并且与所述第1晶体区域连续。从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域的第2方向与所述第1方向交叉。所述第1晶体区域的＜0001＞方向是从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域。所述第2晶体区域的＜0001＞方向是从所述第2晶体区域向所述第1晶体区域。

根据本发明的其它实施方式，

提供一种发光装置，具备：

上述波导元件；以及

光源部，射出第1波长的第1光，

所述第1晶体区域包括第1端部和第2端部，从所述第1端部向所述第2端部的方向沿着所述第1方向，

所述第2晶体区域包括第3端部和第4端部，从所述第3端部向所述第4端部的方向沿着所述第1方向，

所述第1光入射到所述第1端部以及所述第3端部，

从所述第2端部以及所述第4端部射出的第2光的第2波长与所述第1波长不同。

根据本发明的其它实施方式，

提供一种波导元件，具备：

第1晶体区域，在第1方向上延伸；以及

第2晶体区域，在所述第1方向上延伸，并且与所述第1晶体区域连续，

从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域的第2方向与所述第1方向交叉，

所述第1晶体区域的极性的第1朝向以及所述第2晶体区域的极性的第2朝向沿着所述第2方向，

所述第1朝向与所述第2朝向相反。

根据本发明的其它实施方式，

提供一种波导元件的制造方法，

准备第1层，所述第1层是具有在第1方向上延伸的凹部的晶体性的第1层，所述凹部具有在与所述第1方向交叉的第2方向上相互对置的第1侧面以及第2侧面，

使包括氮化物半导体的第1晶体层从所述第1侧面生长，使包括氮化物半导体的第2晶体层从所述第2侧面生长，

使所述第1晶体层与所述第2晶体层相互接触，形成包括所述第1晶体层的第1晶体区域以及包括所述第2晶体层的第2晶体区域。

附图说明