[发明专利]基板处理装置及基板保持装置有效
申请号: | 201810160847.4 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN108511383B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 松冈启充;井口知巳 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 保持 | ||
本发明提供一种基板处理装置及基板保持装置。基板保持部的板状的基部具有与中心轴垂直的上表面。支承部在基部的中央部的周围呈周状地配置,并从基部的上表面向上方突出。支承部用于支承基板的下表面。具有挠性的密封部在支承部的周围以整周配置。密封部的上端部位于支承部的上侧。当基板保持部吸附基板时,在密封部的上端部与基板的下表面接触的状态下,经由吸引口吸引在基部与基板之间存在的气体。由此,基板使密封部向下弯曲并靠近基部而与支承部接触。结果,即使在基板翘曲的情况下,也能良好地保持基板。
技术领域
本发明涉及基板处理装置及基板保持装置。
背景技术
以往,在半导体基板(以下简称“基板”)的制造工序中,利用了吸附并保持基板的机构。在用于吸附保持基板的机构中,存在当基板翘曲时不能适当地吸附基板的情况。
因此,日本特开2012-119464号公报(文献1)中提出了一种在矫正基板的翘曲后吸附基板的晶片保持装置。具体而言,该晶片保持装置中,将晶片吸引保持在杯状的吸引防护装置的上端部,使吸引防护装置下降,然后将晶片压向吸引防护装置内的平板状的矫正部。由此,晶片的翘曲得以矫正,接近平坦的形状。然后,吸附卡盘上升,与晶片下表面接触,晶片被该吸附卡盘吸附保持。
而且,文献1的晶片保持装置中,由于需要各种用于在矫正晶片的翘曲后吸附晶片的结构,此外,还需要用于单独地升降该结构的机构,因此有可能将装置构造复杂化。此外,在晶片的翘曲较大的情况下,在将矫正部压向晶片而矫正翘曲的过程中晶片有可能破损。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于处理基板的基板处理装置,即使在基板翘曲的情况下,也能良好地保持基板。
本发明的基板处理装置具有:基板保持部,从基板的下侧将基板保持为水平状态;吸引部,吸引在所述基板保持部与所述基板之间存在的气体,从而使所述基板吸附在所述基板保持部上;以及基板旋转机构,使所述基板保持部以朝向上下方向的中心轴为中心旋转。所述基板保持部具有:板状的基部,具有与所述中心轴垂直的上表面;吸引口,配置在所述基部的所述上表面,并与所述吸引部连接;支承部,在所述基部的中央部的周围呈周状地配置,从所述基部的所述上表面向上方突出来支承所述基板的下表面;以及具有可挠性的密封部,在所述支承部的周围以整周配置,所述密封部的上端部比所述支承部更靠上侧,当所述基板保持部吸附所述基板时,在所述密封部的所述上端部与所述基板的所述下表面接触的状态下,经由所述吸引口吸引在所述基部与所述基板之间存在的气体,由此所述基板一边使所述密封部向下弯曲,一边靠近所述基部而与所述支承部接触。由此,即使在基板翘曲的情况下,也能良好地保持基板。
本发明的一个优选实施方式中,所述密封部是随着远离所述支承部而向上方延伸的环状板构件。
本发明的其他优选实施方式中,所述支承部具有内侧支承部,所述内侧支承部与所述基部的所述中央部的外周邻接并呈周状地配置;所述内侧支承部具有多个线状部,所述多个线状部分别是以所述中心轴为中心的圆弧状。
本发明的其他优选实施方式中,所所述支承部具有内侧支承部,所述内侧支承部与所述基部的所述中央部的外周邻接并呈周状地配置;所述内侧支承部具有多个突起部,所述多个突起部与所述基板的所述下表面点接触。
本发明的其他优选实施方式中,所述支承部具有:内侧支承部,与所述基部的所述中央部的外周邻接并呈周状地配置;外侧支承部,与所述密封部的内周邻接并呈周状地配置。
进一步优选,所述外侧支承部的上端比所述内侧支承部的上端更靠上侧。
本发明的其他优选实施方式中,所述密封部中的与所述基板接触的接触部的表面由氟树脂或硅树脂制成。
本发明的其他优选实施方式中,所述支承部及所述基部由导电性材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造