[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成鳍结构，所述鳍结构具有底部、设置在所述底部上方的中间部分以及设置在所述中间部分上方的上部；

形成隔离绝缘层，使得所述鳍结构通过隔离绝缘层彼此电隔离，鳍结构的所述上部和至少部分所述中间部分从所述隔离绝缘层暴露，去除栅电极层下方区域处的所述鳍结构的所述中间部分，从而在所述底部和所述上部之间形成第一间隔，在所述第一间隔中形成栅极介电层后，用形成栅电极层的材料填充所述第一间隔和所述上部的外侧周面，从而形成包围所述上部并通过所述栅极介电层与所述底部的顶面接触的栅电极层；

去除所述鳍结构的源极/漏极区域处的所述中间部分，从而在所述底部和所述上部之间形成第二间隔；

在所述第二间隔中形成绝缘层；以及

在所述上部上方形成源极/漏极接触层，

其中，所述源极/漏极接触层通过所述绝缘层与所述鳍结构的底部分隔开，

所述方法还包括：

在去除栅电极层下方区域处的所述鳍结构的所述中间部分、以及去除所述鳍结构的源极/漏极区域处的所述中间部分之前，在所述鳍结构和所述隔离绝缘层上方形成介电层，以及

图案化所述介电层，从而在所述源极/漏极区域处形成其中暴露所述鳍结构的所述上部、所述鳍结构的所述中间部分的至少部分、和所述隔离绝缘层的部分顶面的开口，所述开口的顶面高于所述鳍结构的顶面，

之后去除所述开口中的所述鳍结构的源极/漏极区域处的所述中间部分以形成位于所述开口中的所述第二间隔，并且在所述第二间隔中形成的所述绝缘层还在所述开口中延伸以覆盖所述隔离绝缘层的所述部分顶面且与所述介电层的侧壁接触，以及在所述开口中形成覆盖所述绝缘层、且与所述介电层的所述侧壁接触的所述源极/漏极接触层，

其中，所述绝缘层由与所述隔离绝缘层和所述介电层不同的材料制成，

所述源极/漏极接触层的侧壁与所述绝缘层的侧壁对齐，所述源极/漏极接触层的底面与所述绝缘层的顶面共面，所述鳍结构的所述上部的底面与所述绝缘层直接接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层由SiOCN制成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成源极/漏极接触层的导电材料包括Co、Ni、W、Ti、Ta、Cu、Al、TiN和TaN的一层或多层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述绝缘层由SiCO制成。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述介电层由氧化硅制成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间部分由Si_xGe_1-x制成并且所述上部由Si_yGe_1-y制成，其中，x＜y。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间部分由Si_xGe_1-x制成，其中，0.1＜x＜0.9，并且所述上部和所述底部由Si制成。