[发明专利]单边上片机在审
申请号: | 201810162892.3 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN108231643A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 谢威武;董华强;韩艺畴;邓小明;夏德洪 | 申请(专利权)人: | 东莞晟能自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;王志 |
地址: | 523000 广东省东莞市南城街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片传输 硅片 取片机构 传送件 上片机 载具 升降台 传输机构 传输 升降 工作效率 可伸缩的 插槽 工位 上片 伸入 调试 平行 取出 承载 检测 | ||
本发明公开了一种单边上片机,其包括载具、载具传输机构、取片机构、硅片传输机构和检测机构,所述载具内呈平行的设置有若干第一插槽,承载有硅片的载具藉由所述载具传输机构传输至升降台上,所述取片机构与所述升降台对接,所述取片机构具有可伸缩的第一传送件,藉由所述升降台的升降使得所述第一传送件伸入所述载具内取出硅片,所述硅片传输机构与所述取片机构对接,硅片藉由所述第一传送件传输至所述硅片传输机构,所述硅片传输机构将硅片传输至下一工位,所述检测机构与所述硅片传输机构对接,所述硅片传输机构传输硅片于所述检测机构。综上,本发明的单边上片机能够为工作人员提供调试空间并实现硅片的上片和检测全自动,且提高工作效率。
技术领域
本发明涉及光伏制造领域,尤其涉及一种单边上片机。
背景技术
在光伏产业链中,太阳能电池制造是核心环节,目前太阳能电池主要采用硅太阳能电池,制造硅太阳能电池的一般方法是首先将表面干净的P型或者N型硅片首先经过制绒工序形成绒面结构;其次在硅片表面扩散制结,形成N+或者P+的发射极,经过湿法刻蚀去掉硅片侧面和背面的扩散层;然后在其正表面再形成一层具有减反射功能的SiN薄膜;最后在硅片正背面分别制作金属电极,经过烧结过程形成晶硅太阳能电池。其中,扩散制结时产生杂质磷或硼,磷或硼会不可避免的扩散至硅片侧面和背面,最终导致短路。因此,必须对太阳能电池硅片侧面和背面的掺杂硅进行刻蚀,以去除硅片侧面和背面的扩散层。同时扩散制结还会在扩散层表面形成磷硅或硼硅玻璃,影响电池效率,因此也需要去除。生产中常用的湿法刻蚀工艺进行硅片的清洗,湿法刻蚀一般采用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合液去除硅片各个表面的磷硅或硼硅玻璃并且去除电池侧面和背面的扩散层,因此硅片在湿法刻蚀工艺前后的重量存在差异。然而传统的生产工艺中,硅片在双边上片机的传输下直接进入湿法工艺池进行刻蚀,刻蚀结束后直接从双边下片机直接运走,这种上片机不仅没有设置称重单元进行抽样检查,也无法为称重单元提供检测空间。另外,由于双边上片机的在两边设置上片的传输机构,从而无法为工作人员提供足够的查看和调整的空间,如果称重单元发现硅片不符合标准,工作人员也无法对机器进行近距离查看并立刻进行调试,因此,这样的结构不仅无法实现上片、称重等全自动且高效率的运输,还大大降低了硅片的合格率,从而导致电池漏电等一系列不良现象,无法满足现有的生产需求。
因此,急需要一种能够为工作人员提供调试空间,并实现上片和检测全自动且高效的单边上片机来克服上述的缺陷。
发明内容
基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种能够为工作人员提供调试空间,并实现上片和检测全自动且高效的单边上片机。
为了实现上述目的,本发明公开了一种单边上片机,适用于对载具中的硅片进行传输和抽样检测,其包括载具、载具传输机构、取片机构、硅片传输机构和检测机构。所述载具内呈平行的设置有若干供硅片插入的第一插槽,承载有硅片的载具藉由所述载具传输机构传输至一升降台上,所述取片机构与所述升降台对接,所述取片机构具有可伸缩的第一传送件,藉由所述升降台的升降使得所述第一传送件伸入所述升降台上的载具内逐一取出硅片,所述硅片传输机构与所述取片机构对接,硅片藉由所述第一传送件传输至所述硅片传输机构,所述硅片传输机构将硅片传输至下一工位,所述检测机构与所述硅片传输机构对接,所述硅片传输机构选择性的传输硅片于所述检测机构中。
较佳的,所述检测机构包括吸附件及检测单元,所述吸附件选择性的从所述第一传送件上吸附硅片并传输至所述检测单元上进行检测。
较佳的,所述检测单元为测量硅片重量的称重仪。
较佳的,所述检测机构还包括用于称重时将外界与硅片隔开的罩子。
较佳的,所述检测机构还包括第一控制器和用于提醒检测人员进行调试的报警装置,所述第一控制器分别与所述检测单元和报警装置电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造