[发明专利]离子注入装置有效

专利信息
申请号: 201810163692.X 申请日: 2018-02-27
公开(公告)号: CN108505009B 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 佐佐木玄;藤田胜士 申请(专利权)人: 住友重机械离子科技株式会社
主分类号: C23C14/48 分类号: C23C14/48;H01L21/265
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 夏斌
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 离子 注入 装置
【权利要求书】:

1.一种离子注入装置,其特征在于,具备:

离子源,能够输出包含具有与引出电压相应的已知的能量的多价离子的校正用离子束;

上游射束线,设置于所述离子源的下游,且包括质谱分析磁铁和高频线性加速器;

能量分析磁铁,设置于所述上游射束线的下游;

射束能量测定装置,在所述能量分析磁铁的下游测定所述校正用离子束的能量;

上游射束线压力调整装置,连接于所述上游射束线,以便在离子注入处理期间将上游射束线压力调整为第1压力;及

校正序列部,制作表示所述已知的能量与通过所述射束能量测定装置测定出的所述校正用离子束的能量之间的对应关系的能量校正表,

所述校正序列部控制所述上游射束线压力调整装置,以便在制作所述能量校正表的期间将所述上游射束线压力调整为高于所述第1压力的第2压力。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置,其特征在于,

所述上游射束线压力调整装置连接于所述质谱分析磁铁或射束线区间,以便调整从所述质谱分析磁铁的出口至所述高频线性加速器的入口为止的所述射束线区间的压力,

所述校正序列部控制所述上游射束线压力调整装置,以便在制作所述能量校正表的期间将所述射束线区间的压力调整为所述第2压力。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置,其特征在于,

所述上游射束线压力调整装置具备连接于所述质谱分析磁铁的涡轮分子泵,

所述校正序列部在制作所述能量校正表的期间停止所述涡轮分子泵。

4.根据权利要求1或2所述的离子注入装置,其特征在于,

所述上游射束线压力调整装置具备连接于所述质谱分析磁铁的涡轮分子泵和配置于所述涡轮分子泵的吸气口的传导阀,所述传导阀在所述离子注入处理期间设定为第1传导率,

所述校正序列部在制作所述能量校正表的期间将所述传导阀设定为小于所述第1传导率的第2传导率。

5.根据权利要求1或2所述的离子注入装置,其特征在于,

所述上游射束线压力调整装置具备连接于所述上游射束线的气体供给装置,

所述校正序列部控制所述气体供给装置,以便在制作所述能量校正表的期间气体被供给至所述上游射束线。

6.根据权利要求5所述的离子注入装置,其特征在于,

所述气体供给装置能够将稀有气体、氮、氧或含有稀有气体、氮、氧中至少1种的混合气体供给至所述上游射束线。

7.根据权利要求5所述的离子注入装置,其特征在于,

所述气体供给装置能够将氙气、氪气或含有氙气或氪气的混合气体供给至所述上游射束线。

8.根据权利要求1或2所述的离子注入装置,其特征在于,

所述离子源能够生成硼、磷、砷、氩、氙或氮的多价离子。

9.根据权利要求1或2所述的离子注入装置,其特征在于,

所述离子源能够生成氩或砷的多价离子。

10.根据权利要求1或2所述的离子注入装置,其特征在于,

所述校正序列部控制所述高频线性加速器,以便在制作所述能量校正表的期间,所述高频线性加速器不进行所述校正用离子束的高频加速而传输所述校正用离子束。

11.根据权利要求1或2所述的离子注入装置,其特征在于,

还具备设置于所述能量分析磁铁的下游的射束平行化器,

所述射束能量测定装置能够测定使用所述高频线性加速器加速的离子束的能量,

所述离子注入装置还具备:

平行度测定部,在所述射束平行化器的下游测定射束平行度;及

能量运算部,按照使用目标射束能量定义的已知的关系,根据所述射束平行度运算离子束相对于所述目标射束能量的能量偏离量。

12.根据权利要求11所述的离子注入装置,其特征在于,

所述射束平行化器在射束基准轨道上具有焦点,

所述射束平行化器使多个射束轨道分别以按照入射角度而不同的偏转角度偏转,以便在包含所述射束基准轨道的平面内从所述焦点至所述射束平行化器分别将方向设定为不同的入射角度的所述多个射束轨道,在目标射束能量下与所述射束基准轨道平行。

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