[发明专利]离子注入装置有效
申请号: | 201810163692.X | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN108505009B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 佐佐木玄;藤田胜士 | 申请(专利权)人: | 住友重机械离子科技株式会社 |
主分类号: | C23C14/48 | 分类号: | C23C14/48;H01L21/265 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 夏斌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 注入 装置 | ||
本发明提供一种离子注入装置。其课题在于提高离子注入装置中的射束能量测定的校正精度。离子注入装置(100)具备:离子源(10),能够输出包含具有与引出电压相应的已知的能量的多价离子的校正用离子束;上游射束线(102),包括质谱分析磁铁(22a)和高能量多级直线加速单元(14);能量分析磁铁(24);射束能量测定装置(200),在能量分析磁铁(24)的下游测定校正用离子束的能量;及校正序列部,制作表示已知的能量与通过射束能量测定装置(200)测定出的校正用离子束的能量之间的对应关系的能量校正表。上游射束线压力在离子注入处理期间被调整为第1压力,在制作能量校正表的期间被调整为高于第1压力的第2压力。
技术领域
本申请主张基于2017年02月27日申请的日本专利申请第2017-035227号的优先权。该申请的所有内容通过参考援用于本说明书中。
本发明涉及一种离子注入装置。
背景技术
已知有一种具有高频线性加速器的离子注入装置。这种离子注入装置通常用于高能量离子注入。通过高频线性加速器加速或减速的离子束在原理上具有一定的能级宽度。即,从高频线性加速器放出的离子束不仅包含具有所希望的能量的离子,而且还包含具有比所希望的能量高(或低)一定程度的能量的离子。在离子注入装置中,为了测定离子束的能量而提出有射束能量测定装置(例如,参考专利文献1)。该射束能量测定装置能够适用于高能量离子注入装置。
专利文献1:日本特开2015-176750号公报
发明内容
一般而言,测定装置需要进行校正。这对于离子注入装置中的射束能量测定装置也相同。为了对射束能量测定装置进行校正,通过该测定装置测定具有已知的能量的校正用离子束。在实际的射束能量测定中,在校正中使用经测定的能量与已知的能量之间的对应关系。通过使用该对应关系,能够修正具有未知的能量的离子束的测定结果。当测定装置适用于高能量离子注入装置时,期望不仅在低能量区域进行用于校正的测定,而且在高能量区域中也进行用于校正的测定。
但是,实际情况是制作具有已知的“高”能量的校正用离子束并不容易。例如,经高频加速的离子束(也被称为RF(射频:radio frequency)射束)虽然是高能量,但如上所述具有能级宽度。因此,经高频加速的离子束,难以严密地确定其能量的大小。这在提高校正的精度的方面成为限制。
本发明的一方式的例示性目的之一在于提高离子注入装置中的射束能量测定的校正精度。
(用以解决课题的手段)
根据本发明的一方式,离子注入装置具备:离子源,能够输出包含具有与引出电压相应的已知的能量的多价离子的校正用离子束;上游射束线,设置于所述离子源的下游,且包括质谱分析磁铁和高频线性加速器;能量分析磁铁,设置于所述上游射束线的下游;射束能量测定装置,在所述能量分析磁铁的下游测定所述校正用离子束的能量;上游射束线压力调整装置,连接于所述上游射束线,以便在离子注入处理期间将上游射束线压力调整为第1压力;及校正序列部,制作表示所述已知的能量与通过所述射束能量测定装置测定出的所述校正用离子束的能量之间的对应关系的能量校正表。所述校正序列部控制所述上游射束线压力调整装置,以便在制作所述能量校正表的期间将所述上游射束线压力调整为高于所述第1压力的第2压力。
另外,将以上的构成要件的任意组合或本发明的构成要件或表现在方法、装置、系统、计算机程序、数据结构、存储介质等之间彼此置换的方式也作为本发明的方式有效。
发明效果
根据本发明,能够提高离子注入装置中的射束能量测定的校正精度。
附图说明
图1是示意地表示本发明的一实施方式所涉及的离子注入装置的顶视图。
图2是示意地表示图1所示的离子注入装置的构成要件的配置的图。
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