[发明专利]层状硅酸铜的扩孔方法有效
| 申请号： | 201810165326.8 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108328622B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孟祥祺;施岩;赵悦;陈世安;黎胜可;赵晓龙;赵志航;张霜 | 申请（专利权）人： | 辽宁石油化工大学 |
| 主分类号： | C01B33/20 | 分类号： | C01B33/20;B82Y40/00;B01J35/10;B01J21/16;B01J23/72 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 郭元艺 |
| 地址： | 113001 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层状 硅酸 扩孔 方法 | ||
【权利要求书】：
1.层状硅酸铜的扩孔方法，其特征在于，依次按如下步骤实施：
（1）将一定量的铜源溶于去离子水中；向溶液中加入磷酸二氢铵同时，对溶液进行加热搅拌、微波加热或超声震动处理，使其完全溶解；所述铜源包括硝酸铜、硫酸铜、醋酸铜、卤化铜、碱式卤化铜、碱式碳酸铜、葡萄糖酸铜、氢氧化铜、溴化铜或柠檬酸铜中的一种或两种以上的混合物；铜离子浓度为0.1～0.2mol/Kg；所述铜源与磷酸二氢氨的摩尔比为：5～30：1；
（2）向步骤（1）所得溶液中加入一定量氨水，使其形成铜氨络合物；
（3）加入一定量质量浓度为25%～30%的硅溶胶溶液，搅拌老化；加热，蒸出氨气得到沉淀物；所述搅拌老化时间为0～14h；所述加热温度为20～100℃；所得溶液pH值在4～8；
（4）将步骤（3）所得沉淀物过滤，采用去离子水洗涤1～5次，煅烧，即得目的产物。
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