[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810165646.3 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108735679A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 伊藤太一;高桥圣一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属基座 半导体装置 绝缘板 焊料 导电图案 阻挡部件 边缘部 正切 绝缘距离 沿面距离 侧面 接触角 金属板 击穿 基板 减小 主面 相距 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板，其具有绝缘板、形成在所述绝缘板的背面的金属板、和形成在所述绝缘板的正面的导电图案；
基座板，其隔着接合部件在主面接合有所述基板的所述金属板；以及
阻挡部件，其在俯视下与所述导电图案的面向外侧的第1侧面平行地以带状形成在所述基座板上，
所述阻挡部件的所述基板侧的边缘部形成在所述基座板上的第1位置和第2位置之间，所述第1位置处于所述金属板的面向所述外侧的第2侧面的正下方，所述第2位置为所述基座板上的与所述第1位置相比更靠所述外侧的位置，
所述第2位置与所述基座板上的位于所述绝缘板的面向所述外侧的第3侧面的正下方的第3位置相距以下距离，该距离是由从所述基座板的所述主面起到所述绝缘板的所述正面为止的高度除以所述基座板与所述接合部件的接触角的正切值而得到的。
2.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板，其具有绝缘板、形成在所述绝缘板的背面的金属板、和形成在所述绝缘板的正面的导电图案；
基座板，其隔着接合部件在主面接合有所述基板的所述金属板；以及
阻挡部件，其在俯视下与所述导电图案的面向外侧的第1侧面平行地以带状形成在所述基座板上，
所述阻挡部件的所述基板侧的边缘部形成在所述基座板上的第1位置和第2位置之间，所述第1位置处于所述金属板的面向所述外侧的第2侧面的正下方，所述第2位置为所述基座板上的与所述第1位置相比更靠所述外侧的位置，
所述第2位置与所述基座板上的位于所述绝缘板的面向所述外侧的第3侧面的正下方的第3位置相距以下距离，该距离是由将从所述基座板的所述主面起到所述绝缘板的所述正面为止的高度乘以3的平方根而得到的。
3.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，所述阻挡部件沿所述基板的外周中的一对对置的边而分别形成在所述基座板上。
4.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，所述阻挡部件的所述边缘部形成在所述基座板上的所述第1位置和所述第3位置之间。
5.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，所述阻挡部件在俯视下与所述导电图案的所述第1侧面对置而形成在所述基座板上。
6.根据权利要求3记载的半导体装置，其特征在于，在所述基座板上，夹着所述阻挡部件而在所述基板的侧部分别形成其它基板。
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