[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，能够实现小型化并且减少击穿的发生。在半导体装置中，阻挡部件(17a)的基板(14)侧的边缘部(17a1)形成在金属板的面向外侧的侧面(12a)的正下方的金属基座板上的位置(15a)和金属基座板上的与位置相比更靠外侧的位置(15c)之间。位置(15c)与绝缘板(11)的面对外侧的侧面(11a)的正下方的金属基座板的位置(15b)相距以下距离，该距离由从金属基座板的主面起到绝缘板的正面为止的高度H除以由阻挡部件的边缘部(17a1)限制时的焊料的接触角α的正切值而得到。由此，能够充分地设定导电图案相对于焊料的绝缘距离，因此能够减小导电图案和绝缘板之间的沿面距离。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

半导体装置包括例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tra nsistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体元件。这样的半导体装置例如作为电力转换装置而使用。

以下，使用图9和图10说明这样的半导体装置的一例。

图9是现有例的半导体装置的俯视图的一例，图10是现有例的半导体装置的截面图的一例。应予说明，图10是图9的点划线X1-X1处的截面图。

半导体装置100具有：基板140和隔着焊料16接合有基板140的金属基座板15。

基板140具有：绝缘板110、形成在绝缘板110的背面的金属板12、形成在绝缘板110的正面的具有导电性的导电图案13a～13n。在导电图案13a～13n接合有半导体元件、键合线和/或外部连接端子等(省略图示)。基板140的金属板12隔着焊料16与金属基座板15接合。

在这样的半导体装置100中，在焊料16的量少的情况下，基板140和金属基座板15之间的间隙的焊料16中会产生空隙、未接合处。若在焊料16产生这样的空隙等，则从基板140向金属基座板15的热传导性下降，导致半导体装置100的可靠性的下降。因此，为了不产生空隙等，焊料16的量被调整为焊料16从金属基座板15上的基板140的外周溢出的程度。在图9所示的半导体装置100中，焊料16的溢出部分16a、16b、16c、16d从基板140的外周向金属基座板15的外周侧流出。因此，如图10所示，从基板140流出的焊料16的溢出部分16c将基板140的绝缘板110的侧面110a密封，导电图案13a和焊料16(溢出部分16c)之间的绝缘距离成为L2(虚线)。

另外，在将基板140隔着焊料16接合到金属基座板15上时，将具有与金属基座板15上的基板140的配置区域对应的开口的阻焊膜形成在金属基座板15上。由此，能够适当地进行基板140的位置匹配。进而，能够抑制在焊料16的熔融时消除空隙时的焊料16的喷出所引起的焊珠的产生(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-5137号公报

发明内容

技术问题

但是，在上述半导体装置100中，如图10所示，由于焊料16的溢出部分16c从基板140流出，所以导电图案13a和焊料16(溢出部分16c)之间的绝缘距离L2会变短。若绝缘距离L2变短，则存在导电图案13a与焊料16(溢出部分16c)短路而产生击穿的问题点。

在这样的半导体装置100中，为了充分确保绝缘距离L2以免产生击穿，需要增大导电图案13a和绝缘板110之间的沿面距离W2。但是，若增大沿面距离W2，则需要扩大基板140的尺寸，存在导致半导体装置100的大型化的问题点。

本发明是鉴于上述问题完成的，其目的在于提供能够实现小型化并且减少击穿的发生的半导体装置。