[发明专利]成膜装置

权利要求书

1.一种成膜装置，使向真空容器内依次供给第一处理气体和第二处理气体的周期进行多次来对基板进行成膜处理，该成膜装置的特征在于，具备：

旋转台，在所述旋转台的一面侧形成用于载置基板的基板载置区域，所述旋转台用于使所述基板载置区域在所述真空容器内进行公转；

第一气体供给部，其在与所述旋转台相向的相向面上具备形成有多个孔径彼此一致的第一气体的喷出孔的气体喷出部、包围该气体喷出部的排气口以及包围该排气口的吹扫气体的喷出口；

第二气体供给部，其用于向相对于所述第一气体供给部沿所述旋转台的周向分离地设置的区域供给第二气体；以及

排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气，

其中，所述气体喷出部具备沿旋转台的径向分割得到的、且各自独立地被供给第一气体的三个以上的气体喷出区域，

如果将所述旋转台的中心侧定义为内侧、将外周侧定义为外侧，

则在位于最外侧位置的气体喷出区域中，设定为与基板的通过区域的外缘部相向的区域的气体喷出孔的排列密度DO₁比从与所述外缘部相向的区域靠内偏离出的区域的气体喷出孔的排列密度DO₂大，

在位于最内侧位置的气体喷出区域中，设定为与基板的通过区域的内缘部相向的区域的气体喷出孔的排列密度DI₁比从与所述内缘部相向的区域靠外偏离出的区域的气体喷出孔的排列密度DI₂大。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

设定为从位于最外侧位置的气体喷出区域喷出的原料气体的流速比从与所述位于最外侧位置的气体喷出区域相邻的气体喷出区域喷出的原料气体的流速大，

设定为从位于最内侧位置的气体喷出区域喷出的原料气体的流速比从与所述位于最内侧位置的气体喷出区域相邻的气体喷出区域喷出的原料气体的流速大。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，

从位于最外侧位置的气体喷出区域喷出的原料气体的流速为从与所述位于最外侧位置的气体喷出区域相邻的气体喷出区域喷出的原料气体的流速的2倍以上，

从位于最内侧位置的气体喷出区域喷出的原料气体的流速为从与所述位于最内侧位置的气体喷出区域相邻的气体喷出区域喷出的原料气体的流速的2倍以上。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述位于最外侧位置的气体喷出区域的气体喷出孔的排列密度比与所述位于最外侧位置的气体喷出区域相邻的气体喷出区域的气体喷出孔的排列密度小，

所述位于最内侧位置的气体喷出区域的气体喷出孔的排列密度比与所述位于最内侧位置的气体喷出区域相邻的气体喷出区域的气体喷出孔的排列密度小。

5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，

所述位于最外侧位置的气体喷出区域的气体喷出孔的排列密度为与所述位于最外侧位置的气体喷出区域相邻的气体喷出区域的气体喷出孔的排列密度的五分之一以下，

所述位于最内侧位置的气体喷出区域的气体喷出孔的排列密度为与所述位于最内侧位置的气体喷出区域相邻的气体喷出区域的气体喷出孔的排列密度的五分之一以下。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的成膜装置，其特征在于，

从与所述基板的通过区域的外缘部相向的区域靠内偏离出的区域的气体喷出孔的排列密度DO₂为与基板的通过区域的外缘部相向的区域的气体喷出孔的排列密度DO₁的五分之一以下，

从与所述基板的通过区域的内缘部相向的区域靠外偏离出的区域的气体喷出孔的排列密度DI₂为与基板的通过区域的内缘部相向的区域的气体喷出孔的排列密度DI₁的五分之一以下。