[发明专利]成膜装置

说明书

本发明涉及成膜装置，提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中，沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且，在气体喷出区域中的内侧区域中，在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔，在外侧区域中，在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此，能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多，因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。

技术领域

本发明涉及一种在基板的表面形成膜的技术。

背景技术

在半导体制造工序中，有时进行在作为基板的半导体晶圆(以下称为“晶圆”)上形成例如SiN(氮化硅)膜等膜的成膜处理。该SiN膜期望形成为在晶圆的各部均匀性高的膜厚。作为形成SiN膜的成膜装置，例如专利文献1中记载的那样列举以下结构：在处理容器内设置有用于使多张晶圆沿周向排列并进行公转的旋转台。

在这种成膜装置中，向同进行公转的晶圆的通过区域对应的区域供给原料气体的区域与生成反应气体的等离子体的区域被分离地设置。而且，一边利用设置在旋转台的下方的加热部加热晶圆一边使旋转台进行旋转，来向晶圆的整面供给原料气体和反应气体各气体。

作为供给原料气体的气体供给部，已知一种如专利文献2中记载那样的朝向旋转台上的扇形的区域供给原料气体的气体供给部。该气体供给部从气体供给部中的与旋转台相向的多个气体喷出孔喷出原料气体，向从旋转台的中心侧到外周侧的晶圆所通过的范围供给气体。另外，以包围原料气体的喷出区域的周围的方式设置气体排气口，并且，以包围气体排气口的周围的方式设置有吹扫气体喷出部。而且，通过喷出原料气体和吹扫气体并从排气口排气来在旋转台的上方形成被供给由吹扫气体包围的原料气体的区域，通过使晶圆横穿该区域来向晶圆的整面供给原料气体并使原料气体吸附于该晶圆。

然而，在这种气体供给部中，形成于晶圆的斜面与用于载置晶圆的凹部的晶圆之间的间隙部分消耗气体，晶圆的周缘部的气体的浓度下降。因此，存在以下问题：在晶圆的周缘，气体的吸附量变少，膜厚变薄。

专利文献1：国际公开第2013/137115号

专利文献2：日本特开2016-92026号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是基于这种情况而完成的，其目的在于提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向被载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。

用于解决问题的方案

本发明涉及一种成膜装置，使向真空容器内依次供给第一处理气体和第二处理气体的周期进行多次来对基板进行成膜处理，该成膜装置的特征在于，具备：

旋转台，在所述旋转台的一面侧形成用于载置基板的基板载置区域，所述旋转台的用于使所述基板载置区域在所述真空容器内进行公转；

第一气体供给部，其在与所述旋转台相向的相向面上具备形成有多个孔径彼此一致的第一气体的喷出孔的气体喷出部、包围该气体喷出部的排气口以及包围该排气口的吹扫气体的喷出口；

第二气体供给部，其用于向相对于所述第一气体供给部沿所述旋转台的周向分离地设置的区域供给第二气体；以及

排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气，

其中，所述气体喷出部具备沿旋转台的径向分割得到的、且各自独立地被供给第一气体的三个以上的气体喷出区域，

如果将所述旋转台的中心侧定义为内侧、将外周侧定义为外侧，