[发明专利]处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种处理方法，其用于对表面形成有规定膜的图案的被处理体进行处理，所述处理方法包括以下工序：

第一工序，向腔室的内部供给包含含碳气体和非活性气体的第一气体；以及

第二工序，施加等离子体生成用的高频电力，从供给的所述第一气体生成等离子体，使包含有机物的化合物堆积于被处理体上所形成的所述规定膜的图案上、而不堆积于由所述图案形成的凹部的底面，

其中，所述第一气体中的所述含碳气体相对于所述非活性气体的比率为1%以下，

在所述第二工序中，使包含有机物的化合物以在所述规定膜的图案的上表面堆积的厚度比在该规定膜的图案的侧面堆积的厚度厚的方式堆积于所述规定膜的图案上。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，还包括以下工序：

第三工序，向所述腔室的内部供给包含碳氟气体的第二气体；以及

第四工序，从供给的所述第二气体生成等离子体，对所述规定膜之下的膜进行蚀刻。

3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，

将所述第二工序和所述第四工序重复进行规定次数。

4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，

所述含碳气体为碳氟气体、碳氢气体、氢氟烃气体、醇中的任一种。

5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，

所述含碳气体为C₄F₆、C₅F₈、C₄F₈、IPA即C₃H₈O中的任一种。

6.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，

所述非活性气体为Ar。

7.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，

向配置于所述腔室的顶部的上部电极施加等离子体生成用的高频电力。

8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，

不对所述腔室施加偏置吸引用的高频电力。

9.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，

所述处理方法由电感耦合型等离子体处理装置、向上部电极侧施加等离子体生成用的高频电力的电容耦合型等离子体处理装置、微波等离子体处理装置和远程等离子体装置中的任一种来执行。

10.一种等离子体处理装置，其用于对表面形成有规定膜的图案的被处理体进行处理，所述处理装置具有载置被处理体的台、供给气体的气体供给部以及控制部，

其中，所述控制部进行控制使得进行以下处理：

第一处理，向腔室的内部供给包含含碳气体和非活性气体的第一气体，以及

第二处理，施加等离子体生成用的高频电力，从供给的所述第一气体生成等离子体，使包含有机物的化合物堆积于被处理体上所形成的所述规定膜的图案上、而不堆积于由所述图案形成的凹部的底面，

其中，使所述第一气体中的所述含碳气体相对于所述非活性气体的比率为1%以下，

在所述第二处理中，使包含有机物的化合物以在所述规定膜的图案的上表面堆积的厚度比在该规定膜的图案的侧面堆积的厚度厚的方式堆积于所述规定膜的图案上。