[发明专利]处理方法和等离子体处理装置

说明书

本发明的目的在于提供一种使有机膜各向异性地堆积于被处理体上所形成的凹部的图案的上部的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法具有：第一工序，向腔室的内部供给包含含碳气体和非活性气体的第一气体；第二工序，施加等离子体生成用的高频电力，由供给来的所述第一气体生成等离子体，使包含有机物的化合物堆积于被处理体上所形成的规定膜的图案上，其中，所述第一气体中的、所述含碳气体相对于所述非活性气体的比率为1％以下。

技术领域

本发明涉及一种处理方法和等离子体处理装置。

背景技术

近年来，在半导体制造中，器件的尺寸变得微细化，形成于被处理体的孔、线和空间(LS：Line and Space)的槽部的高宽比(以下称作“A/R比”(Aspect Ratio))变高。因此提出了在形成具有高的A/R比的凹部的蚀刻中垂直地形成掩模之下的蚀刻对象膜(例如参照专利文献1～3)。

专利文献1：日本特表2006-514783号公报

专利文献2：日本特表2015-530742号公报

专利文献3：日本特开2013-219099号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述蚀刻中，需要提高掩模的选择比。因此，进行在蚀刻工序的期间执行使有机膜堆积于掩膜的上部的工序。然而，此时，由于等离子体中的离子、自由基的分布，有机膜堆积于掩模的开口部附近，使得开口部堵塞，无法进行蚀刻。

针对上述问题，在一个方面中，本发明的目的在于使有机膜各向异性地堆积于形成于被处理体的凹部的图案的上部。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种处理方法，包括以下工序：第一工序，向腔室的内部供给包含含碳气体和非活性气体的第一气体；以及第二工序，施加等离子体生成用的高频电力，从供给的所述第一气体生成等离子体，使包含有机物的化合物堆积于被处理体上所形成的规定膜的图案上，其中，所述第一气体中的所述含碳气体相对于所述非活性气体的比率为1％以下。

发明的效果

根据一个方面，能够使有机膜各向异性地堆积于形成于被处理体的凹部的图案的上部。

附图说明

图1是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的一例的图。

图2是用于说明一个实施方式所涉及的掩模的开口的堵塞的图。

图3是用于说明一个实施方式所涉及的被处理体的样本的一例的图。

图4是用于说明一个实施方式所涉及的堆积物的测定部位的定义的图。

图5是表示一个实施方式所涉及的堆积工序中的气体的稀释化的实验结果的一例的图。

图6是表示图5的实验结果的曲线图。

图7是表示一个实施方式所涉及的堆积工序中的气体的稀释化的实验结果的一例的图。

图8是表示一个实施方式所涉及的堆积工序中的温度依赖的实验结果的一例的图。

图9是表示一个实施方式所涉及的堆积工序中的压力依赖的实验结果的一例的图。

图10是表示一个实施方式所涉及的堆积工序中的稀释气体依赖的实验结果的一例的图。

图11是表示一个实施方式所涉及的堆积工序中的LF依赖的实验结果的一例的图。