[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法及显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括栅极，栅绝缘层，半导体层，源极和漏极，其特征在于，还包括与所述栅极相接触的光电转换层，所述光电转换层用于在光照环境下产生感应电势；

所述光电转换层包括依次设置的透明导电层、电子注入层和光敏层；

所述光敏层与所述栅极接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光敏层的材料的通式为ABX₃；

其中，A是CH₃NH₃，B是金属元素，X是卤素。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光敏层的材料为CH₃NH₃PbX₃，X是卤素。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的单位电容值大于15nF/cm²。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的材料为二氧化硅固态电解质或者氧化铝固态电解质。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光敏层的厚度为300nm～500nm，所述电子注入层厚度为500nm～1μm，所述透明导电层的厚度为100nm～200nm。

7.一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成栅极，栅绝缘层，半导体层，源极和漏极的步骤，其特征在于，还包括：

形成与栅极接触的光电转换层；

所述光电转换层包括依次设置的透明导电层、电子注入层和光敏层；

所述光敏层与所述栅极接触。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，形成光电转换层的步骤包括：

在所述衬底基板上形成透明导电层；

在所述透明导电层表面沉积电子注入层；

在所述电子注入层表面形成光敏层；

对所述透明导电层、电子注入层和光敏层进行图案化处理，得到光电转换层。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，形成光电转换层的步骤包括：

在所述栅极表面形成光敏层；

在所述光敏层表面沉积电子注入层；

在所述电子注入层表面沉积透明导电层；对所述透明导电层、电子注入层和光敏层进行图案化处理，得到光电转换层。

10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，所述光敏层的材料的通式为ABX₃；其中，A是CH₃NH₃，B是金属元素，X是卤素；

所述形成光敏层的步骤包括：

将含有通式为ABX₃的光敏层材料的溶液通过旋涂的方法形成在所述电子注入层或者栅极表面上，烘干后，得到光敏层。

11.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述栅绝缘层的材料为二氧化硅固态电解质，所述形成栅绝缘层的步骤包括：

采用气相沉积法在形成有所述栅极或者半导体层的衬底基板上，沉积二氧化硅固态电解质，得到栅绝缘层；

所述气相沉积法中，反应气体SiH₄与O₂的气体流量比为1:4～1:5。

12.一种显示器件，其特征在于，包括如权利要求1～6中任一项所述的薄膜晶体管。