[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法及显示器件

说明书

本发明涉及显示领域，特别涉及薄膜晶体管、其制备方法及显示器件。本发明的薄膜晶体管，包括与所述栅极相接触的光电转换层，所述光电转换层用于在光照环境下产生感应电势。在本发明中，光电转换层接受光照后产生感应电势，可以补偿栅极进行电压驱动，因此，在实际操作中，仅需要外界提供一个较小的电压即可导通薄膜晶体管，节能效果显著。所述薄膜晶体管用于显示器件时，可以降低显示器件的功耗，实现了更高的能效比。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及薄膜晶体管、其制备方法及显示器件。

背景技术

薄膜晶体管是一种场效应半导体器件，尤其在平板显示装置中发挥着重要作用，薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅极绝缘层、半导体层和源漏极等几个重要组成部分。根据栅极与半导体层的相对位置不同，具体可分为顶栅结构的薄膜晶体管和底栅结构的薄膜晶体管。随着显示技术向高分辨率、大尺寸和高帧率发展，对于薄膜晶体管的驱动能力也有了更高的要求。

当前，薄膜晶体管的驱动模式均是栅极电压驱动，从而导通沟道，打开薄膜晶体管。但是，由于栅绝缘层过厚，导致钝化层的电容过小，需要大于1V的电压才能够导通薄膜晶体管。

发明内容

本发明要解决的技术问题是:提供一种薄膜晶体管、其制备方法及显示器件，所述薄膜晶体管的栅极驱动电压较低，节能效果好。

本发明公开了一种薄膜晶体管，包括栅极，栅绝缘层，半导体层，源极和漏极，还包括与所述栅极相接触的光电转换层，所述光电转换层用于在光照环境下产生感应电势。

优选地，所述光电转换层包括依次设置的透明导电层、电子注入层和光敏层：

所述光敏层与所述栅极接触。

优选地，所述光敏层的材料的通式为ABX₃；

其中，A是CH₃NH₃，B是金属元素，X是卤素。

优选地，所述光敏层的材料为CH₃NH₃PbX₃，X是卤素。

优选地，所述栅绝缘层的单位电容值大于15nF/cm²。

优选地，所述栅绝缘层的材料为二氧化硅固态电解质或者氧化铝固态电解质。

优选地，所述光敏层的厚度为300nm～500nm，所述电子传输层厚度为500nm～1μm，所述透明导电层的厚度为100nm～200nm。

本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成栅极，栅绝缘层，半导体层，源极和漏极的步骤，还包括：

形成与栅极接触的光电转换层。

优选地，形成光电转换层的步骤包括：

在所述衬底基板上形成透明导电层；

在所述透明导电层表面沉积电子注入层；

在所述电子注入层表面形成光敏层；

对所述透明导电薄膜、电子注入层和光敏层进行图案化处理，得到光电转换层。

优选地，形成光电转换层的步骤包括：

在所述栅极表面形成光敏层；

在所述光敏层表面沉积电子注入层；

在所述电子注入层表面沉积透明导电层；对所述透明导电薄膜、电子注入层和光敏层进行图案化处理，得到光电转换层。

优选地，所述光敏层的材料的通式为ABX₃；其中，A是CH₃NH₃，B是金属元素，X是卤素；