[发明专利]一种半导体互连结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体互联结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供具有互连线的下方介质层；

步骤S2：在所述下方介质层上形成富含氮的蚀刻终止检测层；

步骤S3：在所述富含氮的蚀刻终止检测层上依次形成低K或超低K层间介质层、低K缓冲层、金属硬掩模层；

步骤S4：在所述金属硬掩模层上形成具有开口图案的光刻胶层，其中所述开口图案对准下方的所述互连线结构；其中所述光刻胶的厚度为250-300nm，所述金属硬掩模层厚度为15-20nm，所述层间介质层的厚度为200-300nm；

步骤S5：以所述光刻胶的所述开口图案为掩模，对下方的所述金属硬掩模层进行第一刻蚀，所述第一刻蚀步骤采用第一源功率的氧等离子体刻蚀，其中，在形成金属硬掩模层中的开口的同时，剩余的光刻胶层也一并去除，其中所述第一刻蚀步骤中，所述光刻胶与所述金属硬掩模层的刻蚀速率比为15:1-20:1；

步骤S6：在所述金属硬质掩模层中形成开口之后，以所述开口为窗口对下方的所述低K缓冲层以及所述低K或者超低K的层间介质层进行第二刻蚀，所述第二刻蚀采用第二源功率的氧等离子体刻蚀，所述第二源功率是所述第一源功率的2-4倍其中所述第二刻蚀步骤中，所述金属硬掩模层与所述层间介质层的刻蚀速率比为1:10-1:20；

步骤S7：通过检测，当刻蚀到所述富含氮的蚀刻终止检测层时，采用氮等离子体进行第三刻蚀，并在刻蚀过程中通入氢气还原气体；

步骤S8：在暴露出下方的所述互连线之后，持续通入氢气，最终获得层间介质层中的开口结构。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中的所述氧等离子体刻蚀采用的是二氧化碳等离子体刻蚀，其中的所述氮等离子体刻蚀采用的是氨等离子体刻蚀。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中的所述持续通入氢气的时间为1-10min。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中的在形成所述的开口结构之后，还包括在开口内形成粘附层、阻挡层和铜金属层的步骤。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，其中的所述的下方介质层的所述互连线为铜互连线。