[发明专利]阵列基板母板、阵列基板、显示装置及其制作方法在审
申请号: | 201810167893.7 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN108565278A | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 代科;莫再隆;周刚;李林宣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;王卫忠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 开关晶体管 绑定区 母板 显示装置 信号引入 切割线 显示区 阵列区 切割 连接控制信号 测试信号线 短路问题 多个阵列 开关电路 切割断面 相邻阵列 预设区域 第一端 控制端 分界线 制作 | ||
1.一种阵列基板母板,其特征在于,包括多个阵列区,每个所述阵列区包括显示区和信号引入区,所述信号引入区包括:
绑定区,靠近所述显示区;以及
开关电路区,包括设置在所述绑定区与切割线之间的预设区域的多个开关晶体管,所述切割线为相邻所述阵列区进行切割的分界线;
其中所述开关晶体管的控制端连接控制信号线,所述开关晶体管的第一端和第二端分别连接绑定区和测试信号线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板母板,其特征在于,所述多个开关晶体管沿所述切割线排列。
3.一种阵列基板,其特征在于,包括显示区和信号引入区,所述信号引入区包括:
绑定区,靠近所述显示区;以及
开关电路区,包括设置在所述绑定区与阵列基板边缘之间的预设区域的多个开关晶体管;
其中所述开关晶体管的控制端连接控制信号线,所述开关晶体管的第一端和第二端分别连接所述绑定区和测试信号线。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述多个开关晶体管沿所述阵列基板边缘排列。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述控制信号线具有第一输入端和第二输入端两个输入端,所述第一输入端接入低电平信号,所述第二输入端接入高电平信号。
6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述测试信号线设置在所述显示区周围,并与所述显示区的数据线一一对应连接,用于向相应的数据线提供测试信号。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求3~6中任一项所述的阵列基板。
8.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成多个阵列区,得到背板,其中所述阵列区包括显示区和信号引入区,所述信号引入区包括绑定区和开关电路区,所述绑定区靠近所述显示区,所述开关电路区包括设置在所述绑定区与切割线之间的预设区域的多个开关晶体管,所述开关晶体管的控制端连接控制信号线,所述开关晶体管的第一端和第二端分别连接绑定区和测试信号线,所述切割线为相邻所述阵列区进行切割的分界线;
在阵列测试阶段,向所述背板上开关晶体管的控制端提供低电平信号,所述开关晶体管导通,所述测试信号线传输的测试信号输入到所述显示区,对所述显示区进行阵列测试;
对所述背板进行切割得到阵列基板,向所述控制端提供高电平信号,所述开关晶体管关断,所述显示区与所述测试信号断开。
9.如权利要求8所述的显示装置的制作方法,其特征在于,切割后所述制作方法还包括:
对所述阵列基板进行蒸镀、封装和绑定工艺,得到显示装置。
10.如权利要求9所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述绑定工艺包括:
通过所述绑定区的连接线将外接集成电路绑定到所述阵列基板上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810167893.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种宽光谱响应光电探测器
- 下一篇:一种有机发光显示装置和电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的