[发明专利]一种硅片清洗液及硅片清洗方法在审
| 申请号： | 201810167905.6 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108384667A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘长明;金井升;张昕宇;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/08 | 分类号： | C11D7/08;C11D3/39;B08B3/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片清洗液 硅片清洗 清洗 光电转换效率 过氧化氢溶液 单质金属 硅片表面 金属催化 金属污染 去离子水 低成本 离子化 氢氟酸 硅片 盐酸 电池 复合 金属 申请 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片清洗液，其特征在于，包括氢氟酸、盐酸、过氧化氢溶液和去离子水。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗液，其特征在于，所述氢氟酸的体积浓度为5％至30％。
3.根据权利要求2所述的硅片清洗液，其特征在于，所述盐酸的体积浓度为5％至35％。
4.根据权利要求3所述的硅片清洗液，其特征在于，所述过氧化氢溶液的体积浓度为5％至35％。
5.一种硅片清洗方法，其特征在于，在25℃至75℃的温度下，利用如权利要求1-4任一项所述的硅片清洗液对金属催化制绒和单质金属离子化之后的硅片进行后清洗。
6.根据权利要求5所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述单质金属离子化过程包括将所述硅片置于硝酸溶液中浸泡并作鼓泡处理，持续5分钟。
7.根据权利要求6所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述后清洗的温度为50℃。
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