[发明专利]一种硅片清洗液及硅片清洗方法

说明书

本申请公开了一种硅片清洗液及硅片清洗方法，该硅片清洗液包括氢氟酸、盐酸、过氧化氢溶液和去离子水，该硅片清洗方法包括在25℃至75℃的温度下，利用上述硅片清洗液对金属催化制绒和单质金属离子化之后的硅片进行后清洗。利用上述硅片清洗液及硅片清洗方法，能够在低成本的基础上更好的清洗掉硅片表面的金属，降低金属污染带来的复合，提升电池的光电转换效率。

技术领域

本发明属于光伏设备技术领域，特别设涉及一种硅片清洗液及硅片清洗方法。

背景技术

光伏能源作为最重要的新型清洁能源，是21世纪人类重点发展和推广的新能源项目。目前，行业内的一个重要目标是降低生产成本以实现光伏电能的平价上网，其中，提升光伏产品的效率是降低生产成本的一个重要途径。目前的晶体硅电池受技术的制约，受光面的结构还没有达到理想的效果，导致光利用率仍然偏低。目前在行业的上游硅片端，金刚线切割技术正在不断替代常规的砂浆线切割技术，其主要优势是可以降低0.3至0.5元/片的切片成本，常规的HF/HNO₃体系无法对金刚线切割的多晶硅片进行有效制绒，要实现金刚线切割硅片的制绒，目前用的最多的两类技术是干法黑硅技术和湿法黑硅技术，黑硅技术可以大幅降低表面反射率到5～10％，提升了光利用率及电池效率，而干法黑硅技术具有较高的成本，因此推广不及价格相对低廉的湿法黑硅技术，湿法黑硅技术常用的就是MACE(Metal Asist Chemical Etch)技术，顾名思义，就是金属催化制绒，其通过引入金属催化剂到硅片表面进行制绒，而硅对金属离子的敏感度非常高，若不能有效去除这些引入的金属添加剂，则在硅的表面及内部会形成大量的复合中心，电池效率也无法做到理想的水平。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种硅片清洗液及硅片清洗方法，能够在低成本的基础上更好的清洗掉硅片表面的金属，降低金属污染带来的复合，提升电池的光电转换效率。

本发明提供的一种硅片清洗液，包括氢氟酸、盐酸、过氧化氢溶液和去离子水。

优选的，在上述硅片清洗液中，所述氢氟酸的体积浓度为5％至30％。

优选的，在上述硅片清洗液中，所述盐酸的体积浓度为5％至35％。

优选的，在上述硅片清洗液中，所述过氧化氢溶液的体积浓度为5％至35％。

本发明提供的一种硅片清洗方法，包括在25℃至75℃的温度下，利用如上面任一项所述的硅片清洗液对金属催化制绒和单质金属离子化之后的硅片进行后清洗。

优选的，在上述硅片清洗方法中，所述单质金属离子化过程包括将所述硅片置于硝酸溶液中浸泡并作鼓泡处理，持续5分钟。

优选的，在上述硅片清洗方法中，所述后清洗的温度为50℃。

通过上述描述可知，本发明提供的上述硅片清洗液及硅片清洗方法，由于这种硅片清洗液中包括氢氟酸和盐酸，因此能够去除离子态金属，且由于还包括过氧化氢溶液，因此还能够去除单质态金属，从而能够在低成本的基础上更好的清洗掉硅片表面的金属，降低金属污染带来的复合，提升电池的光电转换效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为利用本申请实施例提供的硅片清洗液进行清洗之后的硅片表面放大图。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种硅片清洗液及硅片清洗方法，能够在低成本的基础上更好的清洗掉硅片表面的金属，降低金属污染带来的复合，提升电池的光电转换效率。