[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，

所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及采用低温多晶硅制成的第一有源层，所述第一源极和所述第一漏极分别通过过渡源极和过渡漏极与所述第一有源层连接，所述过渡源极、所述过渡漏极以及所述第一栅极同层设置，且所述第一栅极位于所述过渡源极和所述过渡漏极之间；

所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及采用金属氧化物制成的第二有源层，所述第二有源层位于所述过渡源极和所述过渡漏极所在层和所述第二栅极所在层之上，所述第二源极、所述第二漏极、所述第一源极和所述第一漏极同层设置；

所述第一薄膜晶体管还包括第三栅极，所述第三栅极位于所述第一栅极之上或者位于所述第一栅极和所述第一有源层之间，所述第二栅极与所述第一栅极或所述第三栅极同层设置；

所述第一栅极和所述第三栅极在所述阵列基板表面上的正投影重合；

所述第一栅极、所述过渡源极和所述过渡漏极的厚度均不超过5000埃，所述第一源极和所述第一漏极、所述第二源极和第二漏极的厚度均为5000～8000埃。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二源极和所述第二漏极分别通过过孔与所述第二有源层连接，或者所述第二源极和所述第二漏极设置在所述第二有源层的远离衬底基板的表面上。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素定义层和与所述第一源极或所述第一漏极连接的阳极，所述像素定义层位于所述阳极上，所述像素定义层上对应所述阳极设置有像素开口。

4.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1～3任一项所述的阵列基板。

5.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求4所述的显示面板。

6.一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底基板上形成第一有源层；

在所述第一有源层上形成第一栅极、过渡源极、过渡漏极和第二栅极，所述第一栅极、所述过渡源极和所述过渡漏极同层设置，且所述第一栅极位于所述过渡源极和所述过渡漏极之间；

在所述第二栅极上形成第二有源层；

在所述第二有源层上形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第二漏极分别通过所述过渡源极和所述过渡漏极与所述第一有源层连接，所述第一栅极、所述过渡源极和所述过渡漏极的厚度均不超过5000埃，所述第一源极和所述第一漏极、所述第二源极和第二漏极的厚度均为5000～8000埃；

所述方法还包括：

制作第三栅极，所述第三栅极位于所述第一栅极之上或者位于所述第一栅极和所述第一有源层之间，所述第二栅极与所述第一栅极或所述第三栅极同层设置，所述第一栅极和所述第三栅极在所述阵列基板表面上的正投影重合。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在制作所述过渡源极和过渡漏极之前，所述制作方法还包括：

采用氢氟酸清洗所述第一有源层。

8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述第二有源层上形成保护层；

在所述保护层上形成过孔；

所述在所述第二有源层上形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，包括：

在所述保护层上形成所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极，使得所述第二源极和第二漏极分别通过所述过孔与所述第二有源层连接。