[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法，属于显示设备领域。该阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一有源层，第一源极和第一漏极分别通过过渡源极和过渡漏极与第一有源层连接；第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及第二有源层，由于第二有源层位于过渡源极和过渡漏极所在层和第二栅极所在层之上，因此过渡源极和过渡漏极在第二有源层之前进行制作，在制作过渡源极和过渡漏极时就可以制作出用于连接第一有源层和过渡源极、过渡漏极的过孔，采用HF通过过孔对第一有源层进行清洗，从而避免了第二有源层受到腐蚀，有利于提高产品的良率。

技术领域

本发明涉及显示设备领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)由于具有体积小、功耗低、制造成本低等优点，因此广泛应用于各种显示器件的像素驱动电路中。

现有的有源OLED显示面板的每个子像素的驱动电路包括一个驱动TFT和一个开关TFT，驱动TFT通常为低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon Thin FilmTransistor，简称LTPS TFT)，而开关TFT通常为金属氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)。

为了减少制作过程中的刻蚀次数，通常将LTPS TFT设计为顶栅结构，并且将LTPSTFT的栅极和Oxide TFT的栅极同层设置，再在LTPS TFT的栅极和Oxide TFT的栅极上形成公共的层间绝缘层，然后在层间绝缘层上形成Oxide TFT的有源层，最后再将LTPS TFT的源漏极和Oxide TFT的源漏极同层设置在层间绝缘层上。

为了提高LTPS TFT的源漏极与LTPS TFT的有源层之间的欧姆接触，在制作LTPSTFT的源漏极前需要采用氢氟酸(HF)清洗LTPS TFT的有源层，然而，由于HF具有强腐蚀性，在清洗过程中，HF会对Oxide TFT的有源层产生腐蚀，最终容易导致Oxide TFT无法正常工作。

发明内容

为了解决采用HF清洗LTPS TFT的有源层时会腐蚀Oxide TFT的有源层的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，

所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及采用低温多晶硅制成的第一有源层，所述第一源极和所述第一漏极分别通过过渡源极和过渡漏极与所述第一有源层连接，所述过渡源极、所述过渡漏极以及所述第一栅极同层设置，且所述第一栅极位于所述过渡源极和所述过渡漏极之间；

所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及采用金属氧化物制成的第二有源层，所述第二有源层位于所述过渡源极和所述过渡漏极所在层和所述第二栅极所在层之上，所述第二源极、所述第二漏极、所述第一源极和所述第一漏极同层设置。

可选地，所述第一薄膜晶体管还包括第三栅极，所述第三栅极位于所述第一栅极之上或者位于所述第一栅极和所述第一有源层之间，所述第二栅极与所述第一栅极或所述第三栅极同层设置。

可选地，所述第二源极和所述第二漏极分别通过过孔与所述第二有源层连接，或者所述第二源极和所述第二漏极设置在所述第二有源层的远离衬底基板的表面上。

可选地，所述阵列基板还包括像素定义层和与所述第一源极或所述第一漏极连接的阳极，所述像素定义层位于所述阳极上，所述像素定义层上对应所述阳极设置有像素开口。

可选地，所述第一栅极、所述过渡源极和所述过渡漏极的厚度均不超过5000埃。

可选地，所述第一源极和所述第一漏极、所述第二源极和第二漏极的厚度均为5000～8000埃。