[发明专利]发光器件及其显示屏在审
| 申请号： | 201810168994.6 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110212101A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王建太;邢汝博;杨小龙;刘会敏;孙萍;韦冬 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光器件 显示屏 异质结层 异质结 第二材料 第一材料 发光层 量子点 阴极层 载流子 电子迁移率 自由载流子 发光效率 界面处 阳极层 中空穴 传输 | ||
1.一种发光器件，包括阴极层、量子点发光层和阳极层，其特征在于，所述发光器件还包括第一异质结层；其中，
所述第一异质结层设置在所述阴极层和所述量子点发光层之间，所述第一异质结层至少包括能够构成异质结的第一材料和第二材料。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一异质结层至少包括层叠设置的含有所述第一材料的第一材料层和含有所述第二材料的第二材料层。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一材料包括P型半导体材料，且所述第一材料层靠近所述阴极层设置；所述第二材料包括N型半导体材料，且所述第二材料层靠近所述阳极层设置。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一材料层的厚度为5nm～25nm，所述第二材料层的厚度为5nm～50nm。
5.根据权利要求1-4任一所述的发光器件，其特征在于，所述第一材料包括P型金属氧化物和/或P型有机物。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述P型金属氧化物包括NiO、WO3、V2O5中的至少一种；所述P型有机物包括TAPC、NPB、m-MTDATA、TCTA中的至少一种。
7.根据权利要求1-4任一所述的发光器件，其特征在于，所述第二材料包括N型有机物和/或N型金属氧化物。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述N型有机物包括HAT-CN、Bphen、Bepp2、TPBi中的至少一种；所述N型金属氧化物包括ZnO、TiO2中的至少一种。
9.根据权利要求1-4任一所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。
10.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的发光器件。
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