[发明专利]发光器件及其显示屏

说明书

本发明涉及一种发光器件及其显示屏，该发光器件包括阴极层、量子点发光层和阳极层，所述发光器件还包括第一异质结层；其中，所述第一异质结层设置在所述阴极层和所述量子点发光层之间，所述第一异质结层至少包括能够构成异质结的第一材料和第二材料。上述发光器件和显示屏，由于第一材料和第二材料可形成异质结，如此可在异质结的界面处产生大量的高浓度的自由载流子，如此可提高电子迁移率，不仅解决载流子中空穴和电子的传输不平衡问题，以提升发光器件和显示屏的发光效率和寿命。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是涉及发光器件及其显示屏。

背景技术

量子点(Quantum Dot)发光器件因其具有色域高、色纯高、使用寿命长及可通过印刷工艺制备等优点而备受关注。

目前典型的量子点发光器件的结构包括层叠设置的电子层、量子点发光层和空穴层，然而在器件中，电子迁移率和空穴迁移率往往不一致，如此会造成器件中电荷传输的不平衡，影响器件的发光效率和寿命。

发明内容

基于此，有必要针对以上技术问题，提供一种发光器件及其显示屏。

一种发光器件，包括阴极层、量子点发光层和阳极层，其特征在于，所述发光器件还包括第一异质结层；其中，

所述第一异质结层设置在所述阴极层和所述量子点发光层之间，所述第一异质结层至少包括能够构成异质结的第一材料和第二材料。

上述发光器件，由于第一材料和第二材料可形成异质结，如此可在异质结的界面处产生大量的高浓度的自由载流子，如此可提高电子迁移率，不仅解决载流子中空穴和电子的传输不平衡问题，以提升发光器件的发光效率和寿命。此外，还可在一定程度上显著降低电子传输层上对具体材料的依赖和电极功函数的要求。

在其中一个实施例中，所述第一异质结层至少包括层叠设置的含有所述第一材料的第一材料层和含有所述第二材料的第二材料层。

在其中一个实施例中，所述异质结为P-N异质结。

在其中一个实施例中，所述第一材料包括P型半导体材料，且所述第一材料层靠近所述阴极层设置；所述第二材料包括N型半导体材料，且所述第二材料层靠近所述阳极层设置。

在其中一个实施例中，所述第一材料层的厚度为5nm～25nm，所述第二材料层的厚度为5nm～50nm。

在其中一个实施例中，所述第一材料包括P型金属氧化物和/或P型有机物。

在其中一个实施例中，所述P型金属氧化物包括NiO、WO₃、V₂O₅中的至少一种，所述P型有机物包括TAPC、NPB、m-MTDATA、TCTA中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第二材料包括N型有机物和/或N型金属氧化物。

在其中一个实施例中，所述N型有机物包括HAT-CN、Bphen、Bepp2、TPBi中的至少一种，所述N型金属氧化物包括ZnO、TiO2中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述发光器件还包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。

本发明还提供一种显示屏，包括以上任一所述的发光器件。

上述显示屏，由于第一材料和第二材料可形成异质结，如此可在异质结的界面处产生大量的高浓度的自由载流子，如此可提高电子迁移率，不仅解决载流子中空穴和电子的传输不平衡问题，以提升显示屏的发光效率和寿命，还可在一定程度上显著降低电子传输层上对具体材料的依赖和电极功函数的要求。

附图说明

图1为本发明的一实施方式的发光器件的结构示意图；