[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括：

空穴传输层，具有包括孔隙的多孔隙结构层；

量子点发光层，设置在所述空穴传输层上；

其中所述量子点发光层接触所述多孔隙结构层且至少部分所述孔隙中设置有所述量子点发光层的形成材料，

所述量子点发光二极管还包括金属氧化物层，所述金属氧化物层设置在所述空穴传输层与所述量子点发光层之间以及所述空穴传输层的孔隙中。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其中所述空穴传输层包括上层空穴传输层和下层空穴传输层；

所述上层空穴传输层为包括孔隙的多孔隙结构层；

所述下层空穴传输层为致密层。

3.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管，还包括:

第一电极；

空穴注入层，设置在所述第一电极上，并且所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上；

第二电极，设置在所述量子点发光层上。

4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其中，所述空穴注入层和/或所述空穴传输层的材料为无机材料。

5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其中，所述无机材料为钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物。

6.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，还包括：

电子传输层，设置在所述第二电极与所述量子点发光层之间；

所述金属氧化物层还设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间；和/或

所述电子传输层和所述第二电极之间；其中，所述金属氧化物层包括具有粗糙表面的金属氧化物薄膜。

7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其中，所述金属氧化物层的材料为氧化铝。

8.一种显示面板，包括权利要求1-7任一所述的量子点发光二极管。

9.一种量子点发光二极管的制备方法，包括：

形成空穴传输层，所述空穴传输层具有包括孔隙的多孔隙结构层；

在所述空穴传输层上形成量子点发光层，所述量子点发光层形成为接触所述多孔隙结构层且至少部分所述孔隙中形成有所述量子点发光层的形成材料；以及

形成金属氧化物层，所述金属氧化物层形成在所述空穴传输层与所述量子点发光层之间以及所述空穴传输层的孔隙中。

10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，形成所述空穴传输层包括形成上层空穴传输层和下层空穴传输层；

所述上层空穴传输层为包括孔隙的多孔隙结构层；

所述下层空穴传输层为致密层。

11.根据权利要求9或10所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，形成所述多孔隙结构层包括：

将第一材料与第二材料混合，并使所述第一材料与第二材料进行水热反应，然后将反应产物进行成膜处理以形成混合物膜；

对所述混合物膜进行高温煅烧，以去除所述混合物膜中的所述第二材料。

12.根据权利要求11所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，

所述水热反应完成后，将所述反应产物进行洗涤以去除没有进行所述水热反应的第一材料和/或第二材料，然后将所述反应产物进行成膜处理。

13.根据权利要求11所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，

所述第一材料与所述第二材料的体积比为1:(1-4)。

14.根据权利要求13所述的量子点发光二极管的制备方法，还包括:

形成第一电极；

在所述第一电极上形成空穴注入层，并将所述空穴传输层形成在所述空穴注入层上；

在所述量子点发光层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成第二电极。

15.根据权利要求14所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述金属氧化物层包括具有粗糙表面的金属氧化物薄膜；形成所述具有粗糙表面的金属氧化物薄膜包括：

采用蒸镀或磁控溅射法形成具有粗糙表面的金属薄膜，然后将所述金属薄膜氧化；或者

采用蒸镀或磁控溅射法在氧气氛围下直接形成所述具有粗糙表面的金属氧化物薄膜，

所述金属氧化物层还形成在所述电子传输层和所述量子点发光层之间；和/或

所述电子传输层和所述第二电极之间。