[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法、显示面板

说明书

一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板。该量子点发光二极管包括：空穴传输层，具有包括孔隙的多孔隙结构层；量子点发光层，设置在所述空穴传输层上；其中所述量子点发光层接触所述多孔隙结构层且至少部分所述孔隙中设置有所述量子点发光层的形成材料。该量子点发光二极管中空穴传输层与量子点发光层的接触面积较大，从而可以提高量子点发光层中空穴的注入量。

技术领域

本公开的实施例涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板。

背景技术

量子点(quantum dot，QD)是一种纳米级别的半导体，通过对这种纳米半导体材料施加一定的电场或光压，它们会发出特定频率的光。量子点作为发光材料时，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型LED发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为了目前新型显示器件的主要研究方向。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管包括：空穴传输层，具有包括孔隙的多孔隙结构层；量子点发光层，设置在所述空穴传输层上；其中所述量子点发光层接触所述多孔隙结构层且至少部分所述孔隙中设置有所述量子点发光层的形成材料。

例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，所述空穴传输层包括上层空穴传输层和下层空穴传输层；所述上层空穴传输层为包括孔隙的多孔隙结构层；所述下层空穴传输层为致密层。

例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管，还包括：第一电极；空穴注入层，设置在所述第一电极上，并且所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上；第二电极，设置在所述量子点发光层上。

例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，所述空穴注入层和/或所述空穴传输层的材料为无机材料。

例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，所述无机材料为钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物。

例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管，还包括：电子传输层，设置在所述第二电极与所述量子点发光层之间；金属氧化物层，设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间；和/或所述电子传输层和所述第二电极之间；和/或所述空穴传输层与所述量子点发光层之间和所述空穴传输层的孔隙中。

例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，所述金属氧化物层包括具有粗糙表面的金属氧化物薄膜。

例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管中，所述金属氧化物层的材料为氧化铝。

本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括上述任一量子点发光二极管。

本公开至少一实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：形成空穴传输层，所述空穴传输层具有包括孔隙的多孔隙结构层；在所述空穴传输层上形成量子点发光层，所述量子点发光层形成为接触所述多孔隙结构层且至少部分所述孔隙中形成有所述量子点发光层的形成材料。

例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管的制备方法中，形成所述空穴传输层包括形成上层空穴传输层和下层空穴传输层；所述上层空穴传输层为包括孔隙的多孔隙结构层；所述下层空穴传输层为致密层。

例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管的制备方法中，形成所述多孔隙结构层包括：将第一材料与第二材料混合，并使所述第一材料与第二材料进行水热反应，然后将反应产物进行成膜处理以形成混合物膜；对所述混合物膜进行高温煅烧，以去除所述混合物膜中的所述第二材料。

例如，本公开至少一实施例提供的量子点发光二极管的制备方法中，所述水热反应完成后，将所述反应产物进行洗涤以去除没有进行所述水热反应的第一材料和/或第二材料，然后将所述反应产物进行成膜处理。