[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一半导体晶粒，其包括第一表面、相对于所述第一半导体晶粒的所述第一表面的第二表面以及形成在所述第一半导体晶粒的所述第一表面的第一接合垫；

第一囊封物，其围绕所述第一半导体晶粒并且包括相邻所述第一半导体晶粒的所述第一表面的第一表面；

第一重新分布结构，其形成在所述第一半导体晶粒的所述第一表面和所述第一囊封物的所述第一表面上；

第二半导体晶粒，其包括第一表面、相对于所述第二半导体晶粒的所述第一表面的第二表面以及形成在所述第二半导体晶粒的所述第一表面的第二接合垫；

第二囊封物，其围绕所述第二半导体晶粒并且包括相邻所述第二半导体晶粒的所述第一表面的第一表面；

第二重新分布结构，其形成在所述第二半导体晶粒的所述第一表面和所述第二囊封物的所述第一表面上；以及

传导通孔，其延伸穿过所述第一囊封物和所述第二囊封物以将所述第一重新分布结构电性连接至所述第二重新分布结构。

2.如权利要求1的半导体装置，其中：

所述第一囊封物进一步包括与所述第一囊封物的所述第一表面相对的第二表面；

所述第二囊封物进一步包括与所述第二囊封物的所述第一表面相对的第二表面；以及

所述第一囊封物的所述第二表面被黏附至所述第二囊封物的所述第二表面。

3.如权利要求2的半导体装置，其进一步包括在所述第一囊封物的所述第二表面和所述第二囊封物的所述第二表面之间的黏合层。

4.如权利要求1的半导体装置，其中所述第一半导体晶粒的所述第二表面与所述第二半导体晶粒的所述第二表面相隔开。

5.如权利要求1的半导体装置，其中所述第一半导体晶粒的所述第二表面被黏附至所述第二半导体晶粒的所述第二表面。

6.如权利要求1的半导体装置，其中：

所述第一半导体晶粒包括以下中的一个：逻辑晶粒、微控制单元、记忆体、数位信号处理器、网路处理器、电源管理单元、音频处理器、RF电路、晶片处理器上的无线基频系统以及特殊应用集成电路；以及

所述第二半导体晶粒包括以下中的一个：指纹感测器、光学感测器、压力感测器、加速计、陀螺仪感测器和微机电系统(MEMS)装置。

7.如权利要求1的半导体装置，其进一步包括形成在所述第一重新分布结构上的外部互连结构。

8.如权利要求7的半导体装置，其中所述外部互连结构包括以下中的一个：金属柱、焊料凸块、焊球、焊盘和可挠性电路板。

9.如权利要求1的半导体装置，其中：

所述第一重新分布结构包括：

金属层，其形成在所述第一半导体晶粒的所述第一表面和所述第一囊封物的所述第一表面上，所述金属层将所述第一半导体晶粒的所述接合垫电性连接至所述传导通孔；以及

介电层，其形成所述第二重新分布结构的所述金属层上；并且

所述第二重新分布结构包括：

金属层，其形成在所述第二半导体晶粒的所述第一表面和所述第二囊封物的所述第一表面上并且将所述第二半导体晶粒的所述接合垫电性连接至所述传导通孔；以及

介电层，其形成所述第二重新分布结构的所述金属层上。

10.如权利要求9的半导体装置，其中所述传导通孔将所述第一重新分布结构的所述金属层电性连接至所述第二重新分布结构的所述金属层。

11.如权利要求9的半导体装置，其进一步包括形成在所述第一重新分布结构上的所述金属层上的外部互连结构。

12.如权利要求1的半导体装置，其中所述第二重新分布结构将所述第二半导体晶粒的所述第二表面的一区域暴露至所述半导体装置外部。