[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置，其包括：第一半导体晶粒；第一囊封物，其围绕第一半导体晶粒；以及第一重新分布结构，其被形成在第一半导体晶粒和第一囊封物上。半导体装置进一步包括：第二半导体晶粒；第二囊封物，其围绕第二半导体晶粒；以及第二重新分布结构，其被形成在第二半导体晶粒和第二囊封物上。半导体装置亦包括：传导通孔，其将第一重新分布结构电性连接至第二重新分布结构。

技术领域

本发明揭示的各种态样是有关于半导体装置。

背景技术

半导体封装保护集成电路或晶片免于受到物理性损坏和外部应力所影响。此外，半导体封装可以提供热传导路径以有效去除晶片中所产生的热，并且举例而言还提供到其他构件的电连接(诸如印刷电路板)。用于半导体封装的材料通常包括陶瓷或塑料，并且形状因素已经从陶瓷扁平装配和双列直插封装发展到接脚栅格阵列和无接脚晶片载体封装等等。

通过将这样的系统与如本申请案的其余部分中参照附图所阐述的本揭示的一些态样进行比较，现有和传统方法的其他限制和缺点对于本领域技术人士而言将变得显而易见。

发明内容

本发明的态样提供一种半导体装置，其包括：第一半导体晶粒，其第一表面、相对于所述第一半导体晶粒的所述第一表面的第二表面以及形成在所述第一半导体晶粒的所述第一表面的第一接合垫；第一囊封物，其围绕所述第一半导体晶粒并且包括相邻所述第一半导体晶粒的所述第一表面的第一表面；第一重新分布结构，其形成在所述第一半导体晶粒的所述第一表面和所述第一囊封物的所述第一表面上；第二半导体晶粒，其包括第一表面、相对于所述第二半导体晶粒的所述第一表面的第二表面以及形成在所述第二半导体晶粒的所述第一表面的第二接合垫；第二囊封物，其围绕所述第二半导体晶粒并且包括相邻所述第二半导体晶粒的所述第一表面的第一表面；第二重新分布结构，其形成在所述第二半导体晶粒的所述第一表面和所述第二囊封物的所述第一表面上；以及传导通孔，其延伸穿过所述第一囊封物和所述第二囊封物以将所述第一重新分布结构电性连接至所述第二重新分布结构。所述半导体装置中，所述第一囊封物进一步包括与所述第一囊封物的所述第一表面相对的第二表面；所述第二囊封物进一步包括与所述第二囊封物的所述第一表面相对的第二表面；以及所述第一囊封物的所述第二表面被黏附至所述第二囊封物的所述第二表面。所述半导体装置进一步包括在所述第一囊封物的所述第二表面和所述第二囊封物的所述第二表面之间的黏合层。所述半导体装置中，所述第一半导体晶粒的所述第二表面与所述第二半导体晶粒的所述第二表面相隔开。所述半导体装置中，所述第一半导体晶粒的所述第二表面被黏附至所述第二半导体晶粒的所述第二表面。所述半导体装置中，所述第一半导体晶粒包括逻辑晶粒、微控制单元、记忆体、数位信号处理器、网路处理器、电源管理单元、音频处理器、RF电路、晶片处理器上的无线基频系统以及特殊应用集成电路中的一个；以及所述第二半导体晶粒包括指纹感测器、光学感测器、压力感测器、加速计、陀螺仪感测器和微机电系统(MEMS)装置中的一个。所述半导体装置进一步包括形成在所述第一重新分布结构上的外部互连结构。所述半导体装置中，所述外部互连结构包括以下中的一个：金属柱、焊料凸块、焊球、焊盘和可挠性电路板。所述半导体装置中，所述第一重新分布结构包括：金属层，其形成在所述第一半导体晶粒的所述第一表面和所述第一囊封物的所述第一表面上，所述金属层将所述第一半导体晶粒的所述接合垫电性连接至所述传导通孔；以及介电层，其形成所述第二重新分布结构的所述金属层上；并且所述第二重新分布结构包括：金属层，其形成在所述第二半导体晶粒的所述第一表面和所述第二囊封物的所述第一表面上并且将所述第二半导体晶粒的所述接合垫电性连接至所述传导通孔；以及介电层，其形成所述第二重新分布结构的所述金属层上。所述半导体装置中，所述传导通孔将所述第一重新分布结构的所述金属层电性连接至所述第二重新分布结构的所述金属层。所述半导体装置进一步包括形成在所述第一重新分布结构上的所述金属层上的外部互连结构。所述半导体装置中，所述第二重新分布结构将所述第二半导体晶粒的所述第二表面的一区域暴露至所述半导体装置外部。