[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
申请号: | 201810175889.5 | 申请日: | 2018-03-02 |
公开(公告)号: | CN110223951B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 纪登峰;杨俊;刘洪涛;沙酉鹤;王晨骁;李英男 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底上具有介质结构,所述基底包括第一区;
去除部分所述第一区介质结构,在所述第一区介质结构内形成若干相互分立的第一开口;
在所述第一开口内形成第一阻挡部,所述第一阻挡部填充满所述第一开口;
完全去除相邻第一开口之间的介质结构,形成第二开口,所述第二开口侧壁暴露出第一阻挡部的侧壁;
在所述第二开口内形成第二阻挡部,所述第二阻挡部填充满所述第二开口,所述第二阻挡部与两个相邻的所述第一阻挡部接触,且在垂直于所述基底表面的方向上,所述第二阻挡部和所述第一阻挡部的高度相同。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一开口沿平行于基底表面方向上的尺寸小于200微米。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二开口沿平行于基底表面方向上的尺寸为小于200微米。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一阻挡部的形成方法包括:在所述介质结构顶部和第一开口内形成第一阻挡部材料;平坦化所述第一阻挡部材料,直至暴露出介质结构的顶部表面;在所述第一开口内形成第一阻挡部。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二阻挡部的形成方法包括:在所述介质结构和第一阻挡部顶部、以及第二开口内形成第二阻挡部材料;平坦化所述第二阻挡部材料,直至暴露出介质结构的顶部表面;在所述第二开口内形成第二阻挡部。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述介质结构包括:位于基底表面的第一介质层、位于第一介质层表面的第一停止层、以及位于第一停止层表面的第二介质层。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一开口的形成步骤包括:在所述第二介质层表面形成第一掩膜层,位于第一区的所述第一掩膜层内具有若干第一掩膜开口;以所述第一区第一掩膜层为掩膜,刻蚀所述第一区第二介质层,直至暴露出第一停止层的顶部表面,在所述第一区第二介质层内形成第一开口。
8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二开口的形成方法包括:在所述第一阻挡部和第二介质层的表面形成第二掩膜层,所述第二掩膜层暴露出相邻第一阻挡部之间的第二介质层的顶部表面;以所述第二掩膜层为掩膜,刻蚀所述第二介质层,直至暴露出第一停止层的顶部表面,在相邻第一阻挡部之间形成第二开口。
9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,位于第二区的第一掩膜层内还具有若干第二掩膜开口,以所述第二区的第一掩膜层为掩膜,刻蚀所述第二介质层,在所述第二区第二介质层内形成第三开口;所述第三开口沿平行于基底表面方向上的尺寸小于200微米。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成所述第一开口和第三开口之后,形成第二开口之前,所述形成方法还包括:去除第一开口底部的第一介质层,在所述第一开口底部的第一介质层内形成第一通孔,所述第一通孔在基底表面的投影落在第一开口在基底表面的投影内;去除第三开口底部的第一介质层,在所述第三开口底部的第一介质层内形成第二通孔,所述第二通孔在基底上的投影落在第三开口在基底表面的投影内。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第一阻挡部的材料为金属;所述第二阻挡部的材料为金属。
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