[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有介质结构，所述基底包括第一区；去除部分所述第一区介质结构，在所述第一区介质结构内形成若干相互分立的第一开口；在所述第一开口内形成第一阻挡部；去除相邻第一开口之间的介质结构，形成第二开口，所述第二开口侧壁暴露出第一阻挡部的侧壁；在所述第二开口内形成第二阻挡部。所述第一阻挡部和第二阻挡部共同作为阻挡结构，所述阻挡结构的性能较好。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

半导体器件是通过在半导体基底如硅上高密度集成电子器件如晶体管或电容器而形成并且利用沉积、光刻和蚀刻技术制造的。这样的沉积、光刻和蚀刻工艺的反复进行导致形成具有特定形状的图案。当在层状结构中反复形成图案时，在所得结构的顶部，高度差逐渐变得严重。结构顶部的这种严重的高度差使得在后续光刻工艺中的光掩模图案聚焦不清，由此导致难以形成微细图案。

一种减少基底上高度差的方法包括：化学机械抛光(CMP)，化学机械研磨工艺包括以机械和化学方式抛光具有高度差的基底以使基底顶部平坦化。

然而，采用化学机械研磨工艺，对超大尺寸沟槽内材料的平坦化，超大沟槽内材料的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高超大沟槽内材料的性能。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有介质结构，所述基底包括第一区；去除部分所述第一区介质结构，在所述第一区介质结构内形成若干相互分立的第一开口；在所述第一开口内形成第一阻挡部；去除相邻第一开口之间的介质结构，形成第二开口，所述第二开口侧壁暴露出第一阻挡部的侧壁；在所述第二开口内形成第二阻挡部。

可选的，所述第一开口沿平行于基底表面方向上的尺寸小于200微米。

可选的，所述第二开口沿平行于基底表面方向上的尺寸为：小于200微米。

可选的，所述第一阻挡部的形成方法包括：在所述介质结构顶部和第一开口内形成第一阻挡部材料；平坦化所述第一阻挡部材料，直至暴露出介质结构的顶部表面；在所述第一开口内形成第一阻挡部。

可选的，所述第二阻挡部的形成方法包括：在所述介质结构和第一阻挡部顶部、以及第二开口内形成第二阻挡部材料；平坦化所述第二阻挡部材料，直至暴露出介质结构的顶部表面；在所述第二开口内形成第二阻挡部。

可选的，所述介质结构包括：位于基底表面的第一介质层、位于第一介质层表面的第一停止层、以及位于第一停止层表面的第二介质层。

可选的，所述第一开口的形成步骤包括：在所述第二介质层表面形成第一掩膜层，位于第一区的所述第一掩膜层内具有若干第一掩膜开口；以所述第一区第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一区第二介质层，直至暴露出第一停止层的顶部表面，在所述第一区第二介质层内形成第一开口。

可选的，所述第二开口的形成方法包括：在所述第一阻挡部和第二介质层的表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出相邻第一阻挡部之间的第二介质层的顶部表面；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二介质层，直至暴露出第一停止层的顶部表面，在相邻第一阻挡部之间形成第二开口。

可选的，所述基底还包括第二区，位于第二区的第一掩膜层内还具有若干第二掩膜开口，以所述第二区的第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二介质层，在所述第二区第二介质层内形成第三开口；所述第三开口沿平行于基底表面方向上的尺寸小于200微米。