[发明专利]触控面板的直接图案化方法及其触控面板

权利要求书

1.一种触控面板的直接图案化方法，其特征在于，包括：

提供一基板，该基板具有一显示区与一周边区，其中一周边线路设置在该周边区，该周边线路具有一接合垫；

设置由金属纳米线所组成的一金属纳米线层于该显示区与该周边区；

设置一半固化的膜层于该金属纳米线层上；

设置一负型感光层于该半固化的膜层上；

进行一黄光微影步骤，包括：

将该负型感光层进行曝光以定义出一去除区与一保留区；以及

使用显影液将位于该去除区的该负型感光层、该膜层与该金属纳米线层去除，以制作出设置于该显示区上的一触控感应电极并裸露出设置于该周边区的该接合垫，该触控感应电极电性连接于该周边线路，其中该触控感应电极是由该膜层与该金属纳米线层所组成；其中在该保留区中，该负型感光层覆盖于该膜层与该金属纳米线层之上；以及

将该膜层进行一固化步骤；

其中，该负型感光层对该半固化的膜层及该金属纳米线层所组成的结构的粘合强度大于该半固化的膜层及该金属纳米线层所组成的结构对基板的粘合强度。

2.如权利要求1所述的触控面板的直接图案化方法，其特征在于，更包括一后处理步骤，以完全移除位于该去除区的该金属纳米线层。

3.如权利要求2所述的触控面板的直接图案化方法，其特征在于，该后处理步骤包括使用有机溶液或碱性溶液搭配机械方式完全移除位于该去除区的该金属纳米线层。

4.如权利要求2所述的触控面板的直接图案化方法，其特征在于，该后处理步骤包括采用粘胶法移除位于该去除区的该金属纳米线层。

5.如权利要求2所述的触控面板的直接图案化方法，其特征在于，该后处理步骤包括利用微波或UV光照射移除位于该去除区的该金属纳米线层。

6.如权利要求1所述的触控面板的直接图案化方法，其特征在于，该负型感光层的感光性高于该膜层。

7.如权利要求1所述的触控面板的直接图案化方法，其特征在于，该负型感光层对该半固化的膜层及该金属纳米线层所组成的结构的粘合强度大于该半固化的膜层及该金属纳米线层所组成的结构对该基板的粘合强度。

8.一种触控面板，其特征在于，包含：

一基板，其中该基板具有一显示区与一周边区，由金属纳米线所组成的一金属纳米线层于该显示区与该周边区；

层叠设置于该基板上的一负型感光层、一膜层与一金属纳米线层，半固化的膜层于该金属纳米线层上，负型感光层于该半固化的膜层上，将该膜层进行一固化步骤；及

一设置于该周边区上的周边线路，其中该周边线路具有一接合垫，该负型感光层经曝光后定义出一去除区与一保留区，使用显影液将位于该去除区的该负型感光层、该膜层与该金属纳米线层被移除而定义出一触控感应电极并裸露出该接合垫，该触控感应电极电性连接于该周边线路，其中该触控感应电极是由该膜层与该金属纳米线层所组成；其中在该保留区中，该负型感光层覆盖于该膜层与该金属纳米线层之上；

其中，该负型感光层对该半固化的膜层及该金属纳米线层所组成的结构的粘合强度大于该半固化的膜层及该金属纳米线层所组成的结构对基板的粘合强度。

9.如权利要求8所述的触控面板，其特征在于，该金属纳米线层包括金属纳米线，该金属纳米线嵌设于位于该保留区的该膜层中形成导电网络，而位于该显示区的该膜层与该金属纳米线共同形成该触控感应电极、所残留的该负型感光层覆盖于该触控感应电极上。

10.如权利要求8所述的触控面板，其特征在于，该负型感光层的感光性高于该膜层。

11.如权利要求8所述的触控面板，其特征在于，该膜层的厚度为200nm-400nm。

12.如权利要求8所述的触控面板，其特征在于，该金属纳米线层与该周边线路会在该显示区与该周边区的交界处形成搭接结构。

13.如权利要求8所述的触控面板，其特征在于，该触控感应电极延伸至该周边区而覆盖于该周边线路上，但并不覆盖于该接合垫上。