[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

采样保持电路；

用于对所述采样保持电路的输出进行模数AD转换的AD转换器；

用于接收模拟信号的信号端子；

用于产生并且输出参考电压的参考电压产生电路；

第一开关，将所述信号端子电耦接到所述采样保持电路的输入节点，

第二开关，将接地节点电耦接到所述采样保持电路的输入节点，以及

第三开关，将所述参考电压产生电路的输出节点电耦接到所述采样保持电路的输入节点；以及

切换控制单元，用于控制所述第一开关至所述第三开关，所述切换控制单元产生用于使所述第二开关导通的第一控制信号(END)，并且基于所述第一控制信号产生用于使所述第三开关导通的第二控制信号(DQ)。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述切换控制单元基于所述第二控制信号使所述第二开关截止。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中当在通过所述AD转换器进行的上次的AD转换的结果等于或小于参考值的情况下接收检测所述参考电压的指令时，所述切换控制单元在接收到所述指令之后使所述第三开关导通而不使所述第二开关导通，以及

其中当在通过所述AD转换器进行的上次的AD转换的结果超过所述参考值的情况下接收所述指令时，所述切换控制单元在接收到所述指令之后在使所述第二开关导通后使所述第三开关导通。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述切换控制单元包括：

第一脉冲产生电路，在指令所述参考电压的检测的第三控制信号(SLR)被激活时输出单触发脉冲；

第二脉冲产生电路，在自所述第二开关导通以后逝去了预定时间之后输出单触发脉冲；以及

复位-置位RS触发器，由置位端子接收从所述第一脉冲产生电路输出的单触发脉冲，并且由复位端子接收从所述第二脉冲产生电路输出的单触发脉冲，

其中所述第二开关响应于所述RS触发器的置位输出而导通，以及

其中所述第三开关响应于所述RS触发器的复位输出和所述第三控制信号而导通。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述切换控制单元包括：

第一脉冲产生电路，在指令所述参考电压的检测的第三控制信号(SLR)被激活时输出单触发脉冲；

第二脉冲产生电路，在自第二开关导通以后逝去了预定时间之后输出单触发脉冲；以及

复位-置位RS触发器，由置位端子接收从所述第一脉冲产生电路输出的单触发脉冲，并且由复位端子接收从所述第二脉冲产生电路输出的单触发脉冲，

其中所述第二开关响应于所述RS触发器的置位输出和指令所述采样保持电路的放电的第四控制信号(SLD)而导通，以及

其中所述第三开关响应于所述RS触发器的复位输出和所述第三控制信号而导通。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中所述切换控制单元包括：

第一脉冲产生电路，在指令所述参考电压的检测的第三控制信号(SLR)被激活时输出单触发脉冲；

第二脉冲产生电路，在自第二开关导通以后逝去了预定时间之后输出单触发脉冲；

复位-置位RS触发器，由置位端子接收从所述第一脉冲产生电路输出的单触发脉冲，并且由复位端子接收从所述第二脉冲产生电路输出的单触发脉冲；以及

减法器，从预定的参考值中减去通过所述AD转换器进行的上次的AD转换的结果，并且输出指示相减的结果是否变为负值的进位标志，

其中所述第二开关响应于所述RS触发器的置位输出和所述进位标志而导通，以及

其中所述第三开关响应于所述RS触发器的置位输出、所述进位标志和所述第三控制信号而导通。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括具有预定的栅极氧化物膜厚度的晶体管；

其中所述参考电压产生电路包括输出晶体管，所述输出晶体管具有比所述预定的栅极氧化物膜厚度薄的栅极氧化物膜厚度。