[发明专利]半导体装置

说明书

本发明涉及半导体装置。本发明可靠地实现了控制以使得在对参考电压进行AD转换时，参考电压产生电路中的低电压晶体管不被采样保持电路中保持的电压破坏。在半导体装置中，当收到检测参考电压值的指令时，控制内部AD转换器的输入信号的切换的切换控制单元自动地将采样保持电路的输入节点与接地节点暂时地耦接，并且其后，将采样保持电路的输入节点与参考电压产生电路的输出节点耦接。

本申请是申请日为2013年9月25日、申请号为201310439849.4、发明名称为“半导体装置”的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

将2012年9月26日提交的日本专利申请No.2012-212794的公开内容(包括说明书、附图以及摘要)通过引用全部并入在本申请中。

技术领域

本发明涉及具有AD(模数)转换器的半导体装置。

背景技术

其中具有AD转换器的半导体装置(例如，微型计算机)可以作为数字值来检测外部输入模拟电压、从参考电压产生电路输出的内部参考电压值、内部温度传感器电路的输出值等。例如通过在重复地对外部输入电压进行AD转换的同时周期性地对内部参考电压值和温度传感器电路的输出值进行AD转换来监视芯片环境的方法，来使用AD转换器。

还存在如下的技术，即，在具有AD转换器的半导体装置中，蓄积在采样保持电容器中的电荷被放电并且其后切换信号耦接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本未经审查的专利公开No.2011-077847

专利文献2：日本未经审查的专利公开No.2001-244813

发明内容

在近年来的CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑电路的小型化和功耗的减少的情况下，CMOS逻辑电路的电源电压降低到接近1V。因此，供应给内部电源电路的参考电压正变得低于传统技术中的参考电压。

在要求以低电压操作的电路中，使用具有薄的栅极氧化物膜和低的阈值电压的低电压晶体管。虽然整个参考电压产生电路可能不由低电压晶体管形成，但是至少具有低阈值电压的低电压晶体管必须被用作要与内部电源电路耦接的输出晶体管。

在对内部参考电压进行AD转换时，采样保持电路中保持的电压被预先放电，使得高电压不被施加到低电压晶体管。具体地，用户通过程序重写控制采样保持电路的放电的寄存器的值。因此，当存在用户的编程错误时，问题出现使得参考电压产生电路中的低电压晶体管被破坏。

从本说明书和所附的附图的描述中将明白其它目的和新颖的特征。

在作为一个实施例的半导体装置中，当收到检测参考电压值的指令时，控制内部AD转换器的输入信号的切换的切换控制单元自动地将采样保持电路的输入节点与接地节点暂时地耦接，并且其后，将采样保持电路的输入节点与参考电压产生电路的输出节点耦接。

在实施例中，可靠的控制可以被执行以使得参考电压产生电路中的低电压晶体管不被采样保持电路中保持的电压破坏。

附图说明

图1是示出作为第一实施例的微型计算机芯片的配置的示例的框图。

图2是示出图1中的AD转换控制电路的一部分的配置的框图。

图3是示出图2中的放电模式控制电路的配置的电路图。

图4是示出图2中的切换控制单元中的信号波的时序图。

图5是示出通过图2中的AD转换控制电路执行参考电压的AD转换的过程的流程图。

图6是示出作为第二实施例的AD转换控制电路的一部分的配置的框图。