[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810177805.1 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109509790B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 玉城朋宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体层，具有第一面和第二面；
第一电极，与上述第一面相接地设置；
第二电极，与上述第二面相接地设置；
第一导电型的第一半导体区域，设于上述半导体层中；
第二导电型的第二半导体区域，设于上述第一半导体区域与上述第一面之间，与上述第一面相接，与上述第一电极电连接；
第二导电型的第三半导体区域，围绕上述第二半导体区域设置，并设于上述第一半导体区域与上述第一面之间，与上述第一面相接，具有第一区域、比上述第一区域远离上述第二半导体区域的第二区域、比上述第二区域远离上述第二半导体区域的第三区域；以及
第一导电型的第四半导体区域，设置在上述第一区域与上述第一半导体区域之间，该第四半导体区域的第一导电型的杂质浓度比上述第一半导体区域高，
上述第一区域、上述第二区域以及上述第三区域的第二导电型的杂质量比上述第二半导体区域少，上述第一区域的至少一部分的第二导电型的杂质量比上述第二区域的至少一部分少，上述第三区域的至少一部分的第二导电型的杂质量比上述第二区域的至少一部分少，
上述第二区域与上述第一半导体区域相接，上述第三区域与上述第一半导体区域相接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一区域的至少一部分的深度比上述第二区域的至少一部分浅。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一区域的至少一部分的第二导电型的杂质浓度比上述第二区域的至少一部分低。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一区域中的、第二导电型的杂质量比上述第二区域的至少一部分少的部分的宽度为上述第三半导体区域的宽度的10％以上且40％以下。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第二区域的第二导电型的杂质量以及上述第三区域的第二导电型的杂质量随着远离上述第二半导体区域而降低。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述第三区域的至少一部分的第二导电型的杂质量比上述第二区域的至少一部分多。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
还具备绝缘层和第一导电层，该绝缘层设于上述第一面上，该第一导电层与上述第一面之间夹有上述绝缘层，且该第一导电层设于上述第一区域与上述第二区域的边界上。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
还具备第二导电层，该第二导电层与上述第一面之间夹有上述绝缘层，且该第二导电层设于上述第二区域与上述第三区域的边界上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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