[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201810178352.4 | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN109326559B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 郑凯;谢朝桦;林芳莹;刘同凯;王惠洁;林俊贤;柯瑞峰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法,包括:
形成多个发光元件于一第一基板上;
形成一第一图案阵列于一第二基板上;
将该多个发光元件从该第一基板转移至该第二基板;
形成该第一图案阵列于一第三基板上,其中该第一图案阵列包括多个间隔层与设置于该多个间隔层之间的多个开口;
将该多个发光元件从该第二基板转移至该第三基板,其中该多个间隔层隔开多个发光元件,且该多个发光元件设置于该多个开口中;
形成一第二图案阵列于一第四基板上;以及
将该多个发光元件从该第三基板转移至该第四基板,其中该第一基板上的该多个发光元件之间的一间距与该第一图案阵列之间的一间距不同。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该第一图案阵列之间的该间距是该第二图案阵列之间的一间距的n倍,其中n为整数且大于0。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该第一图案阵列包括一粘着层。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,将该多个发光元件从该第二基板转移至该第三基板的步骤包括:
降低一部分的该粘着层的粘着力。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该第二基板的材料具有导电性。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,该第二基板接地。
7.一种半导体装置的制造方法,包括:
形成多个发光元件于一第一基板上;
提供一第二基板;
形成一第一图案阵列于该第二基板上,其中该第一图案阵列包括多个间隔层与设置于该多个间隔层之间的多个开口;
将该多个发光元件从该第一基板转移至该第二基板,其中该多个间隔层隔开该多个发光元件,且该多个发光元件设置于该多个开口中;
形成一粘着层于一第三基板上;
将该多个发光元件从该第二基板转移至该第三基板;
提供一第四基板;
降低一部分的该粘着层的粘着力,并将该多个发光元件从该第三基板转移至该第四基板。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,该第三基板的材料具有导电性。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,该第三基板接地。
10.如权利要求7所述的方法,更包括:
形成一第一图案阵列于该第二基板上,其中该第一图案阵列之间的一间距与该第一基板上的该多个发光元件之间的一间距不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造