[发明专利]掩模及其制造方法、半导体装置有效

专利信息
申请号: 201810179971.5 申请日: 2013-11-26
公开(公告)号: CN108321143B 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 百浓宽之 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66;H01L27/146;G06F30/392
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 高培培;车文
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 及其 制造 方法 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种掩模,具备:

基板,具有主表面;

有效像素形成用区域,配置在所述基板的所述主表面上,具有矩形的平面形状;以及

基准用图案形成用区域,配置在所述有效像素形成用区域的周围,

在所述有效像素形成用区域中配置有用于形成像素的多个像素用图案,

在所述基准用图案形成用区域中,在与构成所述有效像素形成用区域的外缘的4边中在第一方向上延伸的第一边相对且相对于从所述有效像素形成用区域的中央与所述第一边垂直地延伸的假想直线对称的两处位置和与在第二方向上延伸的第二边相对且相对于从所述有效像素形成用区域的中央与所述第二边垂直地延伸的假想直线对称的两处位置,配置有基准用图案以表示基准位置,该基准位置是所述多个像素用图案本来要配置的位置,所述第二方向与所述第一方向垂直,

所述多个像素用图案以比所述基准位置偏向所述有效像素形成用区域的中央侧的方式配置。

2.根据权利要求1所述的掩模,其中,

在所述基准用图案形成用区域中,还在与第三边相对且相对于从所述有效像素形成用区域的中央与所述第三边垂直地延伸的假想直线对称的两处位置和与第四边相对且相对于从所述有效像素形成用区域的中央与所述第四边垂直地延伸的假想直线对称的两处位置,配置有所述基准用图案以表示基准位置,该基准位置是所述多个像素用图案本来要配置的位置,所述第三边与所述第一边相对,所述第四边与所述第二边相对。

3.根据权利要求1所述的掩模,其中,

在所述基准用图案形成用区域中,在所述基准用图案的周围与所述基准用图案隔开间隔地形成有虚设形成用图案。

4.根据权利要求1所述的掩模,其中,

与所述第一边相对的所述基准用图案具有在所述第二方向上对称的平面形状,与所述第二边相对的所述基准用图案具有在所述第一方向上对称的平面形状。

5.一种半导体装置,包括:

半导体基板,具有主表面;

有效像素区域,配置在所述半导体基板的所述主表面上,具有矩形的平面形状;以及

基准部配置区域,配置在所述有效像素区域的周围,

在所述有效像素区域中配置有多个像素,

在所述基准部配置区域中,在与构成所述有效像素区域的外缘的4边中在第一方向上延伸的第一边相对且相对于从所述有效像素区域的中央与所述第一边垂直地延伸的假想直线对称的两处位置和与在第二方向上延伸的第二边相对且相对于从所述有效像素区域的中央与所述第二边垂直地延伸的假想直线对称的两处位置,配置有基准部以表示基准位置,该基准位置是所述多个像素本来要配置的位置,所述第二方向与所述第一方向垂直,

所述多个像素以比所述基准位置偏向所述有效像素区域的中央侧的方式配置。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

在所述基准部配置区域中,还在与第三边相对且相对于从所述有效像素区域的中央与所述第三边垂直地延伸的假想直线对称的两处位置和与第四边相对且相对于从所述有效像素区域的中央与所述第四边垂直地延伸的假想直线对称的两处位置,配置有所述基准部以表示基准位置,该基准位置是所述多个像素本来要配置的位置,所述第三边与所述第一边相对,所述第四边与所述第二边相对。

7.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

在所述基准部配置区域中,在所述基准部的周围与所述基准部隔开间隔地形成有虚设结构。

8.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

与所述第一边相对的所述基准部具有在所述第二方向上对称的平面形状,与所述第二边相对的所述基准部具有在所述第一方向上对称的平面形状。

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