[发明专利]一种石墨烯材料的制备方法在审
申请号: | 201810181284.7 | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN108190868A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 方泽波;冀婷 | 申请(专利权)人: | 绍兴文理学院 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184 |
代理公司: | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人: | 郭云梅 |
地址: | 312000 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨烯 氧化石墨烯 制备 石墨烯材料 超声分散 无水乙醇 分散液 混合液 预制液 醇液 加热还原 快速冷却 离心过滤 微波反应 茶多酚 反应釜 分散剂 中密封 产率 放入 恒压 烘干 泄压 洗涤 沉淀 加压 | ||
本发明属于石墨烯技术领域,具体涉及一种石墨烯材料的制备方法,步骤1,将氧化石墨烯加入至无水乙醇,超声分散30‑60min,得到氧化石墨烯醇液;步骤2,将分散剂加入至氧化石墨烯醇液中超声分散60‑120min,得到氧化石墨烯分散液;步骤3,将氧化石墨烯分散液放入反应釜中加压微波反应2‑4h,恒压反应1‑3h,快速冷却泄压得到氧化石墨烯预制液;步骤4,将茶多酚加入至氧化石墨烯预制液中密封加热还原反应2‑4h,得到石墨烯混合液;步骤5,将石墨烯混合液离心过滤后采用无水乙醇多次洗涤,烘干后得到石墨烯沉淀。本发明解决了现有技术制备的石墨烯质量较差,缺陷较多的问题,提升了石墨烯制备效率,不仅提升了石墨烯产率,也提升了石墨烯质量。
技术领域
本发明属于石墨烯技术领域,具体涉及一种石墨烯材料的制备方法。
背景技术
石墨烯是一种特殊的片层结构,它于2004年由英国曼彻斯特大学科学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫发现,并获得了2010年的诺贝尔物理奖。他们采用机械剥离法,通过多次剥离,从高定向热解石墨上获得了仅由一层碳原子构成的单层石墨片,即石墨烯。研究发现石墨烯具有各种远超现有材料的优异属性,例如:世界上最薄的材料(单层石墨烯仅0.335nm)、目前已知强度最高的材料、韧性极好(弹性模量可达1.1TPa)、优异的抗渗性(He原子无法穿过)、突出的热导性能、室温下高速的电子迁移率、极高的比表面积(单层石墨烯的理论比表面积高达2630m2/g)、最轻的载荷子等。利用石墨烯,能够研发一系列具有特殊性质的新材料。例如,石墨烯晶体管的传输速度远远超过目前的硅晶体管,有望应用于全新超级计算机的研发。利用其优良的导电性和极大的比表面积,石墨烯可以用于制造电极材料,传感器材料。与其它材料复合,石墨烯还可用于制造具有特殊性能的复合材料,从而使新材料更薄、更轻、更富有弹性,因此其应用前景十分广阔。石墨烯不仅带来一场电子材料革命,而且还将极大促进汽车、飞机和航天工业的发展。
一般将层数在10层以下的石墨片称为“石墨烯”,一层的称为“单层石墨烯”,二层以上的称为“多层石墨烯”。它们都具有与石墨不相同的物理、化学和机械性能,而层数高于10层的石墨片的性能与普通的石墨相同。由此,对于石墨烯的制备与研究主要是研究层数在10层以下的石墨片。
目前,石墨烯的制备方法主要有:机械剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法、化学气相沉积等。
机械剥离法:是将高定向热解石墨剪切成石墨薄片,用胶带粘在薄片两侧,然后撕开胶带将薄片一分为二,重复以上过程就可以得到10层以下的石墨烯,甚至是单层的石墨烯。此方法的优点:可以获得极高品质的石墨烯片;缺点:产量很低,成本非常高。
SiC外延生长法:是在真空中加热SiC晶体,当温度达到1200℃~1500℃时,C-Si键发生断裂,含C原子较多的平面中的Si原子被蒸发出来,而剩余的碳原子会在SiC晶体(0001)面上排列成六方的石墨烯结构。这种方法的优点:可以制备较高质量的石墨烯且无须进行基底的转移;缺点:产量低、成本高,且石墨烯片的厚度不均匀。
化学气相沉积法:是利用高温分解碳氢气体,在极薄的镍催化剂或铜催化剂薄膜中,首先形成碳镍饱和固溶体,然后在冷却过程中,碳原子逐渐从镍或铜晶体中析出,而获得石墨烯片层。该方法的优点:在获得高品质石墨烯的同时,还能在合理的成本下获得较理想的产率,另外在制备大面积的石墨烯方面也具备一定的潜力。缺点:1)制备的石墨烯通常需要转移到其它基底上,增加了制备的难度;2)制备石墨烯的产量虽高于机械剥离法和外延生长法,但还远远不能满足人们在应用上的需求。
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