[发明专利]设置有自检线圈的磁电阻传感器在审

专利信息
申请号: 201810181371.2 申请日: 2018-03-06
公开(公告)号: CN108318838A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 李大来;蒋乐跃;刘海东 申请(专利权)人: 美新半导体(无锡)有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 代理人: 朱亦倩
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 斜坡 自检 磁场传感单元 倾斜表面 纵长延伸 磁电阻传感器 并行排布 方向一致 底面 易轴 纵长 磁电阻条 方向延伸 绕线电阻 绕线方式 绕线路径 依次串联 蛇形 基板 绕线 芯片 占用 延伸
【权利要求书】:

1.一种磁电阻传感器,其特征在于,其包括:

设置于基板上依次并行排布的若干纵长条形的斜坡,所述斜坡包括底面、分布于所述底面纵长延伸方向两侧的第一倾斜表面和第二倾斜表面;

若干磁场传感单元,所述磁场传感单元具有磁易轴和所述磁易轴垂直的磁敏感轴,所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条,所述斜坡的第一倾斜表面和第二倾斜表面都各自形成有所述磁场传感单元,且所述磁场传感单元的磁易轴方向与其所在的斜坡的纵长延伸方向一致;

自检线圈,其位于所述若干纵长条形的斜坡的底面的下方或上方,所述自检线圈包括依次并行排布的若干导线,所述导线的延伸方向与所述斜坡的纵长延伸方向一致,所述若干导线依次串联以形成蛇形绕线方式的自检线圈。

2.根据权利要求1所述的磁电阻传感器,其特征在于,

所述磁电阻条在所述斜坡的底面所在平面上的投影的一侧有对应的所述导线。

3.根据权利要求2所述的磁电阻传感器,其特征在于,

所述磁电阻条的长度小于对应的所述导线的长度,且所述磁电阻条在所述斜坡的底面所在平面上的投影位于所述自检线圈围成的区域内。

4.根据权利要求1或2所述的磁电阻传感器,其特征在于,

在自检模式下,通过在所述自检线圈中通入电流,使得所述自检线圈在所述磁电阻条中产生自检磁场,以判断磁电阻传感器是否饱和/或者做灵敏度校准。

5.根据权利要求4所述的磁电阻传感器,其特征在于,

通过调节所述磁电阻条和对应的导线沿所述斜坡底面方向的相对位置来改变所述自检磁场的幅值。

6.根据权利要求1所述的磁电阻传感器,其特征在于,

所述斜坡的第一倾斜表面相对于所述底面成第一预定角度,其第二倾斜表面相对于所述底面成第二预定角度,且所述第一预定角度和第二预定角度均为α,即所述斜坡的倾角为α。

7.根据权利要求6所述的磁电阻传感器,其特征在于,

所述自检线圈在所述斜坡的第一倾斜表面上的磁电阻条所在平面中产生垂直于所述磁易轴的第一自检磁场,在相对的第二倾斜表面上的磁电阻条所在平面中产生垂直于所述磁易轴的第二自检磁场,所述第一自检磁场和第二自检磁场用于判断磁电阻传感器是否饱和/或者做灵敏度校准。

8.根据权利要求7所述的磁电阻传感器,其特征在于,

所述磁电阻传感器y方向的磁场Hy=(H1-H2)/(2cosα),

其中,H1为所述第一自检磁场的磁场强度值,H2为所述第二自检磁场的磁场强度值,α为所述斜坡的倾角,

所述磁场Hy作为自检磁场,用于判断磁电阻传感器是否饱和/或者做灵敏度校准。

9.根据权利要求7所述的磁电阻传感器,其特征在于,

所述磁电阻传感器z方向的磁场Hz=(H1+H2)/(2sinα),

其中,H1为所述第一自检磁场的磁场强度值,H2为所述第二自检磁场的磁场强度值,α为所述斜坡的倾角

所述磁场Hz作为自检磁场,用于判断磁电阻传感器是否饱和/或者做灵敏度校准。

10.根据权利要求1所述的磁电阻传感器,其特征在于,

所述磁电阻条为各向异性磁电阻、巨磁电阻或隧穿磁电阻。

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