[发明专利]设置有自检线圈的磁电阻传感器在审
申请号: | 201810181371.2 | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN108318838A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 李大来;蒋乐跃;刘海东 | 申请(专利权)人: | 美新半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人: | 朱亦倩 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 斜坡 自检 磁场传感单元 倾斜表面 纵长延伸 磁电阻传感器 并行排布 方向一致 底面 易轴 纵长 磁电阻条 方向延伸 绕线电阻 绕线方式 绕线路径 依次串联 蛇形 基板 绕线 芯片 占用 延伸 | ||
本发明提供一种磁电阻传感器,其包括:设置于基板上依次并行排布的若干纵长条形的斜坡,斜坡包括底面、分布于底面纵长延伸方向两侧的第一倾斜表面和第二倾斜表面;若干磁场传感单元,磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条,斜坡的第一倾斜表面和第二倾斜表面都各自形成有磁场传感单元,且磁场传感单元的磁易轴方向与其所在的斜坡的纵长延伸方向一致;自检线圈,其位于若干纵长条形的斜坡的底面的下方或上方,自检线圈包括依次并行排布的若干导线,导线的延伸方向与斜坡的纵长延伸方向一致,若干导线依次串联以形成蛇形绕线方式的自检线圈。与现有技术相比,本发明中设置的自检线圈的绕线路径短、绕线电阻小、绕线占用芯片面积小。
【技术领域】
本发明涉及磁电阻传感器技术领域,特别涉及一种磁电阻传感器的蛇形绕线方式的自检线圈。
【背景技术】
对于磁电阻传感器,由于老化导致灵敏度会发生变化;当磁场超过一定范围时,输出零信号,因此,磁电阻传感器内部需要产生自检磁场,进行灵敏度的校准或者判断是否饱和。自检磁场是通过在自检线圈中通入电流产生的,传统上采用环形绕线方式的自检线圈,缺点是绕线路径长、绕线电阻大、绕线占用芯片面积大。
因此,有必要提出一种方案来解决上述问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种设置有自检线圈的磁电阻传感器,其设置的自检线圈的绕线路径短、绕线电阻小、绕线占用芯片面积小。
根据本发明的一个方面,本发明提供一种磁电阻传感器,其包括:设置于基板上依次并行排布的若干纵长条形的斜坡,所述斜坡包括底面、分布于所述底面纵长延伸方向两侧的第一倾斜表面和第二倾斜表面;若干磁场传感单元,所述磁场传感单元具有磁易轴和所述磁易轴垂直的磁敏感轴,所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条,所述斜坡的第一倾斜表面和第二倾斜表面都各自形成有所述磁场传感单元,且所述磁场传感单元的磁易轴方向与其所在的斜坡的纵长延伸方向一致;自检线圈,其位于所述若干纵长条形的斜坡的底面的下方或上方,所述自检线圈包括依次并行排布的若干导线,所述导线的延伸方向与所述斜坡的纵长延伸方向一致,所述若干导线依次串联以形成蛇形绕线方式的自检线圈。
进一步的,所述磁电阻条在所述斜坡的底面所在平面上的投影的一侧有对应的所述导线。
进一步的,所述磁电阻条的长度小于对应的所述导线的长度,且所述磁电阻条在所述斜坡的底面所在平面上的投影位于所述自检线圈围成的区域内。
进一步的,在自检模式下,通过在所述自检线圈中通入电流,使得所述自检线圈在所述磁电阻条中产生自检磁场,以判断磁电阻传感器是否饱和/或者做灵敏度校准。
进一步的,通过调节所述磁电阻条和对应的导线沿所述斜坡底面方向的相对位置来改变所述自检磁场的幅值。
进一步的,所述斜坡的第一倾斜表面相对于所述底面成第一预定角度,其第二倾斜表面相对于所述底面成第二预定角度,且所述第一预定角度和第二预定角度均为α,即所述斜坡的倾角为α。
进一步的,所述自检线圈在所述斜坡的第一倾斜表面上的磁电阻条所在平面中产生垂直于所述磁易轴的第一自检磁场,在相对的第二倾斜表面上的磁电阻条所在平面中产生垂直于所述磁易轴的第二自检磁场,所述第一自检磁场和第二自检磁场用于判断磁电阻传感器是否饱和/或者做灵敏度校准。
进一步的,所述磁电阻传感器y方向的磁场Hy=(H1-H2)/(2cosα),其中,H1为所述第一自检磁场的磁场强度值,H2为所述第二自检磁场的磁场强度值,α为所述斜坡的倾角,所述磁场Hy作为自检磁场,用于判断磁电阻传感器是否饱和/或者做灵敏度校准。
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