[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备第1二极管部、第2二极管部、以及第1IGBT部，

上述第1二极管部具有：

第1导电型的第1阳极区域，设于具有第1面与第2面的半导体层之中；

第2导电型的第1阴极区域，设于上述第1阳极区域与上述第2面之间；

第2导电型的漂移区域，设于上述第1阳极区域与上述第1阴极区域之间，相比于上述第1阴极区域，第2导电型的杂质浓度更低；

第1沟槽，设于上述半导体层之中，沿第1方向延伸；

第1沟槽绝缘膜，设于上述第1沟槽之中；以及

第1沟槽电极，设于上述第1沟槽之中并且是上述第1沟槽绝缘膜之上，该第1沟槽电极与上述第1阳极区域电连接，

上述第2二极管部具有：

第1导电型的第2阳极区域，设于上述半导体层之中；

第2导电型的第2阴极区域，设于上述第2阳极区域与上述第2面之间；

上述漂移区域，设于上述第2阳极区域与上述第2阴极区域之间；

第2沟槽，设于上述半导体层之中，沿上述第1方向延伸；

第2沟槽绝缘膜，设于上述第2沟槽之中；以及

第2沟槽电极，设于上述第2沟槽之中并且是上述第2沟槽绝缘膜之上，该第2沟槽电极与上述第2阳极区域电连接，

上述第2二极管部在上述第1方向上的宽度比上述第1二极管部在与上述第1方向正交的第2方向上的宽度大，

上述第2二极管部在上述第1方向上与上述第1二极管部相邻地设置，

上述第1IGBT部具有：

第2导电型的第1发射极区域，设于上述半导体层之中；

第1导电型的第1集电极区域，设于上述第1发射极区域与上述第2面之间；

上述漂移区域，设于上述第1发射极区域与上述第1集电极区域之间；

第1导电型的第1基极区域，设于上述第1发射极区域与上述漂移区域之间；

第3沟槽，设于上述半导体层之中，沿上述第1方向延伸；

第1栅极绝缘膜，设于上述第3沟槽之中；以及

第1栅极电极，设于上述第3沟槽之中并且是上述第1栅极绝缘膜之上，

该第1IGBT部在上述第2方向上与上述第1二极管部相邻地设置，并在上述第1方向上与上述第2二极管部相邻地设置。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2二极管部在上述第1方向上的宽度为60μm以上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1沟槽与上述第2沟槽连续。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2沟槽与上述第3沟槽分离。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1集电极区域设于上述第1二极管部。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

上述第1阴极区域设于上述第1IGBT部。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

上述第1集电极区域与上述第1阴极区域沿上述第1方向交替地配置，上述第1集电极区域与上述第1阴极区域连接。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述半导体层是单晶硅。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1导电型为p型，上述第2导电型为n型。