[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810181597.2 申请日: 2018-03-06
公开(公告)号: CN109192728B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 竹迫寿晃;真锅和孝;池田典昭;张维哲 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L27/11568
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种动态随机存取存储器,其特征在于包括:

衬底;

多个隔离结构,位于所述衬底中,定义出沿第一方向排列的多个有源区域,其中所述衬底具有沿所述第一方向延伸且穿过所述多个隔离结构与所述多个有源区域的沟渠;

埋入式字线,设置于所述沟渠中,其中所述埋入式字线沿所述第一方向延伸,穿过所述多个有源区域与所述多个隔离结构;

多个栅介电层,位于所述多个有源区域中,其中所述多个栅介电层覆盖部分所述沟渠的表面,且环绕包覆所述埋入式字线;以及

盖层,覆盖所述埋入式字线,

其中穿过所述多个有源区域与所述多个隔离结构的所述埋入式字线的第二侧的顶面的高度低于所述埋入式字线的第一侧的顶面的高度。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器,其中所述埋入式字线包括第一导体层与第二导体层,且

所述第二导体层,位于所述沟渠中;以及

所述第一导体层,环绕包覆所述第二导体层的底面及部分侧壁,且在所述埋入式字线的所述第二侧的所述第一导体层的顶面高度低于在所述埋入式字线的所述第一侧的所述第一导体层的顶面的高度。

3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器,其中所述盖层与所述埋入式字线的所述第一侧的所述第一导体层的所述顶面接触,且与所述埋入式字线的所述第二侧的所述第一导体层的所述顶面接触。

4.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器,其中所述盖层未与所述埋入式字线的所述第二侧的所述第一导体层的所述顶面接触,而在所述盖层与所述埋入式字线的所述第二侧的所述第一导体层之间形成气隙。

5.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器,其中在所述埋入式字线的所述第二侧的所述第二导体层的顶面的高度低于在所述埋入式字线的所述第一侧的部分所述第二导体层的顶面的高度。

6.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器,其中所述埋入式字线的所述第二侧的所述第一导体层以及所述第二导体层的上方具有气隙,且所述气隙被所述盖层环绕包覆。

7.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器,更包括多个电容器,位于所述埋入式字线的所述第二侧,与所述多个有源区域电性连接。

8.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器,其中所述埋入式字线的所述第二侧的所述顶面上方具有凹陷,延伸穿过所述多个有源区域与所述多个隔离结构。

9.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器,其中所述盖层未填满所述凹陷。

10.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器,其中所述盖层覆盖所述凹陷的侧壁与底面,而在其中形成气隙。

11.一种动态随机存取存储器的制造方法,包括:

在衬底中形成多个隔离结构,以定义出沿第一方向排列的多个有源区域;

移除沿所述第一方向交替排列的部分所述多个隔离结构以及所述多个有源区域的部分所述衬底,以形成沿所述第一方向延伸的沟渠;

在所述多个有源区域中形成多个栅介电层,以覆盖部分所述沟渠的表面;

形成沿所述第一方向延伸的埋入式字线于所述沟渠中,所述埋入式字线穿过所述多个有源区域与所述多个隔离结构,其中形成所述埋入式字线包括形成第一导体层与第二导体层,所述第一导体层环绕所述第二导体层,覆盖所述第二导体层的底面与侧壁;

移除部分所述第一导体层,以在所述埋入式字线与所述多个栅介电层之间形成第一凹陷,并在所述埋入式字线与所述多个隔离结构之间形成第二凹陷,其中所述第一凹陷与所述第二凹陷彼此连通且构成沿所述第一方向延伸的凹陷;以及

形成盖层,覆盖所述埋入式字线。

12.根据权利要求11所述的动态随机存取存储器的制造方法,其中所述盖层更填满所述凹陷。

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