[发明专利]中子俘获治疗法系统及中子俘获治疗法用γ射线检测器在审
| 申请号： | 201810181614.2 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108686306A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 赤堀清崇;田中浩基 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社;国立大学法人京都大学 |
| 主分类号： | A61N5/10 | 分类号： | A61N5/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 朴勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中子俘获 中子射线 被照射体 屏蔽 治疗 射线 射线检测器 放大 射线探测 方式设置 轻元素 相邻面 载置部 中子场 检测 入射 载置 输出 覆盖 | ||
1.一种中子俘获治疗法系统，其具备：
中子射线生成部，产生中子射线；
被照射体载置部，载置照射所述中子射线的被照射体；及
γ射线探测部，检测因被照射所述中子射线而从所述被照射体放出的γ射线，
所述γ射线探测部具有：
放出部，通过入射所述γ射线放出光或电子；
放大部，与所述放出部相邻而设置，并放大从所述放出部放出的所述光或所述电子而输出；
第1中子射线屏蔽部，由含有锂6的物质形成；及
第2中子射线屏蔽部，设置于比所述第1中子射线屏蔽部更靠外侧，并由轻元素形成，
所述第1中子射线屏蔽部以至少覆盖所述放出部的面中的与和所述放大部相邻的相邻面相反的一侧的面的方式设置。
2.根据权利要求1所述的中子俘获治疗法系统，其中，
所述γ射线探测部还具有γ射线屏蔽部，该γ射线屏蔽部设置于所述第1中子射线屏蔽部与所述第2中子射线屏蔽部之间。
3.根据权利要求1或2所述的中子俘获治疗法系统，其中，
所述第1中子射线屏蔽部以覆盖所述放出部的面中的除了所述相邻面以外的面的方式设置。
4.根据权利要求3所述的中子俘获治疗法系统，其中，
覆盖所述相反的一侧的面的所述第1中子射线屏蔽部的厚度大于覆盖所述放出部的其他面的所述第1中子射线屏蔽部的厚度。
5.一种中子俘获治疗法用γ射线检测器，其具备：
放出部，通过入射γ射线放出光或电子；
放大部，与所述放出部相邻而设置，并放大从所述放出部放出的所述光或所述电子而输出；
第1中子射线屏蔽部，由含有锂6的物质形成；及
第2中子射线屏蔽部，设置于比所述第1中子射线屏蔽部更靠外侧，并由轻元素形成，
所述第1中子射线屏蔽部以至少覆盖所述放出部的面中的与和所述放大部相邻的相邻面相反的一侧的面的方式设置。
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