[发明专利]中子俘获治疗法系统及中子俘获治疗法用γ射线检测器在审
申请号: | 201810181614.2 | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN108686306A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 赤堀清崇;田中浩基 | 申请(专利权)人: | 住友重机械工业株式会社;国立大学法人京都大学 |
主分类号: | A61N5/10 | 分类号: | A61N5/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 朴勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中子俘获 中子射线 被照射体 屏蔽 治疗 射线 射线检测器 放大 射线探测 方式设置 轻元素 相邻面 载置部 中子场 检测 入射 载置 输出 覆盖 | ||
本发明提供一种在高强度的中子场中也能够高精度地检测γ射线的中子俘获治疗法系统及中子俘获治疗法用γ射线检测器。中子俘获治疗法系统(1)具备:中子射线生成部(10);载置患者(H)即被照射体的被照射体载置部(20);及检测从患者(H)即被照射体放出的γ射线(G)的γ射线探测部(30),γ射线探测部(30)具有:放出部(31),通过入射γ射线(G)放出光或电子;放大部(32),放大从放出部(31)放出的光或所述电子而输出;第1中子射线屏蔽部(33),由含有锂6的物质形成;及第2中子射线屏蔽部(34),由轻元素形成,第1中子射线屏蔽部(33)以至少覆盖放出部(31)的面中的与和放大部(32)的相邻面(31a)相反的一侧的面的方式设置。
技术领域
本申请主张基于2017年3月29日申请的日本专利申请第2017-066025号的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
本发明涉及一种中子俘获治疗法系统及中子俘获治疗法用γ射线检测器。
背景技术
作为癌症治疗等中的放射线治疗法之一,具有通过中子射线的照射进行癌症治疗的硼中子俘获治疗法(BNCT:Boron Neutron Capture Therapy)。硼中子俘获治疗法中,将中子射线照射到被施用含有硼的药剂的患者的患部,并使硼与中子的反应在癌细胞中产生而破坏癌细胞。
这种硼中子俘获治疗法中,期望实时测定患者体内的硼浓度。专利文献1中记载有中子俘获治疗法装置,该中子俘获治疗法装置具备检测伴随中子射线与硼的反应而产生的γ射线的γ射线检测器,能够从与通过γ射线探测部检测的γ射线有关的信息计算患者体内的硼浓度。
专利文献1:日本特开2016-159107
由于中子俘获治疗法的治疗环境为高强度的中子场,γ射线检测器容易劣化。因此,有可能降低γ射线的检测精度。由此,在高强度的中子场中也要求高精度地检测γ射线。
发明内容
本发明是为了解决这种课题而完成的,其目的在于提供一种在高强度的中子场中也能够高精度地检测γ射线的中子俘获治疗法系统及中子俘获治疗法用γ射线检测器。
本发明的一方式所涉及的中子俘获治疗法系统,其具备:中子射线生成部,产生中子射线;被照射体载置部,载置照射中子射线的被照射体;及γ射线探测部,检测因被照射中子射线而从被照射体放出的γ射线,γ射线探测部具有:放出部,通过入射γ射线放出光或电子;放大部,与放出部相邻而设置,并放大从放出部放出的光或所述电子而输出;第1中子射线屏蔽部,由含有锂6的物质形成;及第2中子射线屏蔽部,设置于比第1中子射线屏蔽部更靠外侧,并由轻元素形成,第1中子射线屏蔽部以至少覆盖放出部的面中的与和放大部相邻的相邻面相反的一侧的面的方式设置。
该中子俘获治疗法系统中,γ射线探测部具有:由含有锂6的物质形成的第1中子射线屏蔽部;及设置于比第1中子射线屏蔽部更靠外侧,并由轻元素形成的第2中子射线屏蔽部。入射到γ射线探测部的放出部的中子射线被第1中子射线屏蔽部及第2中子射线屏蔽部屏蔽,因此能够抑制放出部的劣化。并且,锂6与轻元素相比,屏蔽中子射线的功能高,因此能够可靠地屏蔽入射到放出部的中子射线。由此,在高强度的中子场中也能够抑制放出部的劣化,并能够高精度地检测γ射线。
一方式所涉及的中子俘获治疗法系统中,γ射线探测部还可以具有设置于第1中子射线屏蔽部与第2中子射线屏蔽部之间的γ射线屏蔽部。根据该结构,能够抑制γ射线从放出部中的除了与和放大部相邻的相邻面相反的一侧的面以外的面入射到放出部。
一方式所涉及的中子俘获治疗法系统中,第1中子射线屏蔽部也可以以覆盖放出部的面中的除了相邻面以外的面的方式设置。根据该结构,能够更可靠地屏蔽入射到放出部的中子射线。
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