[发明专利]光学成像系统及电子装置

说明书

本发明公开一种光学成像系统及电子装置，所述光学成像系统包括：一成像透镜组，其包括至少二片具有屈折力的透镜、一成像面；以及一第一镜片定位组件。当满足特定条件时，本发明的光学成像系统可通过温度补偿的透镜与机构组件的设计，进而有效抑制光学成像系统的焦距受温度变化的程度同时维持成像的质量，以应用各式电子产品。

技术领域

本发明涉及一种光学成像系统，且特别涉及一种应用于电子产品上的小型化光学成像系统及电子装置。

背景技术

近年来，随着具有摄影功能的可携式电子产品的兴起，光学系统的需求日渐提高。一般光学系统的感光组件不外乎是感光耦合组件(Charge Coupled Device；CCD)或互补性金属氧化半导体传感器(Complementary Metal-Oxide Semiconductor Sensor；CMOSSensor)两种，且随着半导体工艺技术的精进，使得感光组件的像素尺寸缩小，光学系统逐渐往高像素领域发展，因此对成像质量的要求也日益增加。

传统搭载于电子装置上的光学系统，多采用无温度补偿的材料进行透镜以及机构的设计，然而由于终端消费者对电子装置在极端拍摄环境的的需求不断增加例如拍摄温度在50℃以上，初始光学成像系统的焦距设定将因环境升温产生偏移，进而导致成像质量下降，现有的光学成像系统已无法满足更高阶的摄影要求。

因此，如何有效抑制光学成像系统的焦距受温度变化的程度同时维持成像的质量，便成为一个相当重要的议题。

发明内容

本发明实施例提供一种光学成像系统及电子装置，能够利用二个以上的透镜的屈光力、凸面与凹面的组合(本发明所述凸面或凹面原则上是指各透镜的物侧面或像侧面距离光轴不同高度的几何形状变化的描述)，以及通过选用特定透镜材料，其在摄氏-50℃至100℃相对于空气的折射率变化(dn/dt)小于或等于零，以及选用具有合适热膨胀系数的材料作为定位透镜机构例如镜筒与镜座的设计，以应用于耐候性高的电子装置上。

本发明实施例相关的透镜参数的用语与其代号详列如下，作为后续描述的参考：

与长度或高度有关的透镜参数

光学成像系统的最大成像高度以HOI表示，也就是图像传感器的有效感测区域对角线长的一半，也通称半像高(ImgH)。光学成像系统在标准温度ST(摄氏温度25度)时的高度以HOS表示，并定义为光学成像系统的第一透镜(最靠近物侧)至成像面间于光轴上的距离，也通称Total Track Length。光学成像系统在标准温度ST(摄氏温度25度)时的系统焦距以FST表示，也就是Effect Focal Length。光学成像系统在第一工作温度(摄氏温度70度)以及第二工作温度(摄氏温度50度)时的高度，分别以HOS1与HOS2表示，其定义均与HOS相同。光学成像系统在第一工作温度时的系统焦距以FWT1表示，在第二工作温度时的系统焦距以FWT2表示。

光学成像系统在摄氏温度25度时的后焦距以BHOS表示，并定义为光学成像系统的最后透镜(最靠近成像面)至成像面间于光轴上的距离。光学成像系统在第一工作温度(摄氏温度70度)以及第二工作温度(摄氏温度50度)时的后焦距，分别以BHOS1与BHOS2表示，其定义均与BHOS相同。│BHOS1-BHOS│为光学成像系统在第一工作温度的后焦距变化量，并以DBL1表示。│BHOS2-BHOS│为光学成像系统在第二工作温度的后焦距变化量，并以DBL2表示。光学成像系统在摄氏温度25度时，第一透镜物侧面至最靠近成像面的透镜像侧面间于光轴上的距离以InTL表示，同时BHOS与InTL的总和即为HOS；光学成像系统在摄氏温度25度时的固定光阑(光圈)至成像面间的距离以InS表示。

与材料有关的透镜参数