[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 201810185101.9 申请日: 2013-08-06
公开(公告)号: CN108281528B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 林俊宇;徐子杰;蔡富鈞;黄意雯;吕志强 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/22;H01L33/44;H01L33/20;H01L33/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种发光元件,其特征在于,包含:

第一半导体结构,包含第一主动层;

第二半导体结构,包含第二主动层;

第一电极组,可用以接收第一电流值以驱动该第一半导体结构发出具有第一亮度的第一光线;以及

第二电极组,可用以接收第二电流值以驱动该第二半导体结构发出具有第二亮度的第二光线;

其中于该发光元件的上视图中,该第二半导体结构围绕该第一半导体结构。

2.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一电极组及该第二电极组大致围绕该第二半导体结构。

3.如权利要求1所述的发光元件,其中于上视图中,该发光元件具有发光区,且该发光区的形状为圆形或多边形。

4.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一电极组及该第二电极组分别同时接收第一电流值及第二电流值。

5.如权利要求4所述的发光元件,其中该第一半导体结构包含第一主动层,该第二半导体结构包含第二主动层,且该第一主动层的面积小于等于该第二主动层的面积。

6.一种发光元件,其特征在于,包含:

第一半导体结构,具有一侧壁及一上表面,且包含第一半导体层、第二半导体层、以及位于该第一半导体层及该第二半导体层之间的第一主动层;

第一电极,位于该上表面上;

以及

吸光层,包含第一部分围绕该侧壁以及第二部分位于部分的该第一电极上。

7.如权利要求6所述的发光元件,还包含接触层,位于该第一电极与该第二半导体层之间。

8.如权利要求6所述的发光元件,还包含绝缘层,位于该吸光层与该第一半导体结构之间。

9.如权利要求6所述的发光元件,还包含反射层,覆盖于该第一半导体结构。

10.如权利要求6所述的发光元件,其中该吸光层具有一厚度大于

11.如权利要求6所述的发光元件,其中该发光元件具有发光区,且于一上视图中该发光区的形状为圆形或多边形。

12.如权利要求6所述的发光元件,还包含第二电极,位于第一半导体结构下方。

13.如权利要求6所述的发光元件,其中该第一电极包含金属或金属合金。

14.如权利要求9所述的发光元件,其中该发光元件具有出光区,且于一俯视图下,该反射层的面积可与该出光区的面积相同或大于该出光区的面积。

15.如权利要求9所述的发光元件,还包含接合层,覆盖于该反射层。

16.一种发光元件,其特征在于,包含:

外延结构,包含:

第一半导体结构;

第二半导体结构;以及

沟槽,位于该第一半导体结构与该第二半导体结构之间,且该第一半导体结构与该第二半导体结构分别被驱动;

其中,于该沟槽中包含绝缘层,且于该发光元件的上视图中,该第二半导体结构围绕该第一半导体结构。

17.如权利要求16所述的发光元件,其中于电流操作下,该第一半导体结构可被驱动发出具有第一主波长的第一光线,该第二半导体结构可被驱动发出具有第二主波长的第二光线,其中该第一主波长与该第二主波长位于相同波长范围。

18.如权利要求16所述的发光元件,还包含外电极结构,位于该外延结构上;以及下电极,位于该外延结构下。

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