[发明专利]一种掩膜版以及具有槽体结构的显示屏及其制造方法有效
申请号: | 201810189805.3 | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN108417525B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 崔富毅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;H01L51/56 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李弘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 以及 具有 结构 显示屏 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种掩膜版以及具有槽体结构的显示屏及其制造方法,所述方法包括:在衬底基板上覆盖掩膜版后,对所述衬底基板进行有机材料的篜镀;将所述衬底基板上设计为开槽区的部分去除,形成具有槽体结构的显示屏;其中,所述掩膜版对应于所述开槽区的版面包括覆盖所述开槽区边框处的半刻蚀区域和覆盖所述开槽区其余部分的全刻蚀区域。应用本发明可以既减少因掩膜版形变导致的显示屏的混色不良产生,又便于后期对掩膜版进行清洗。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种掩膜版以及具有槽体结构的显示屏及其制造方法。
背景技术
随着电子产品的发展,特别是移动终端的飞速发展,全屏式的显示器已成为移动终端的主流,大部分的全屏设备使用触摸方式实现用户与设备之间的人机交流。OLED显示屏是利用有机电致发光二极管制成的显示屏,由于同时具备自发光有机电激发光二极管,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性,被广泛应用于平面显示器技术。而AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,有源矩阵有机发光二极体)显示屏因其集成触摸技术使之更轻薄,被应用于高端、全屏式智能机型上。
在生产OLED或AMOLED显示屏时,需对智能机的听筒及摄像头进行挖槽设计,以便最终形成产品前将开槽区去除形成槽体结构,以便在槽内装配听筒或摄像头。目前主要的蒸镀掩膜版设计方式包括如下两种:
一种方式是将衬底基板上设计为开槽区的部分用半刻蚀的掩膜版覆盖,然后篜镀有机材料,如图1所示。由于半刻蚀掩膜版的遮挡,开槽区将不会篜镀上有机材料;之后,在后续工艺中将设计为开槽区的部分去除形成槽体结构的显示屏。然而,在实际应用中本发明的发明人发现,由于通常设计的开槽区尺寸比较大,因此,相应地用于覆盖开槽区的半刻蚀掩膜版的面积也会比较大,在进行有机材料篜镀时,在较高温度下(80℃左右)较大面积的半刻蚀掩膜版更容易产生金属形变和金属热膨胀的不利影响,导致掩膜版更易产生形变,蒸镀材料的错位,从而最终产生有机发光层错位混色现象。
另一种方式则是将衬底基板上设计为开槽区的部分仍用全刻蚀的掩膜版覆盖,然后在位于开槽区上方的掩膜版上再覆盖一层open Mask(通用金属掩膜版),再进行篜镀有机材料;由于open Mask的遮挡,开槽区不会篜镀上有机材料;之后,在后续工艺中将设计为开槽区的部分去除形成槽体结构的显示屏。此处方法,由于没采用大面积的半刻蚀掩膜版,从而避免了掩膜版在高温下产生形变的问题,但是操作过程中需要覆盖两层掩膜版,操作繁琐;此外,在篜镀之后,因为此部分为FMM和Open mask重叠区,存在缝隙,从而导致后期清洗掩膜版不易的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提出一种掩膜版以及具有槽体结构的显示屏及其制造方法,既减少因掩膜版形变导致的显示屏的混色不良产生,又便于后期对掩膜版进行清洗。
基于上述目的本发明提供一种具有槽体结构的显示屏的制造方法,包括:
在衬底基板上覆盖掩膜版后,对所述衬底基板进行有机材料的篜镀;
将所述衬底基板上设计为开槽区的部分去除,形成具有槽体结构的显示屏;
其中,所述掩膜版对应于所述开槽区的版面包括覆盖所述开槽区边框处的半刻蚀区域和覆盖所述开槽区其余部分的全刻蚀区域。
较佳地,所述将所述衬底基板上设计为开槽区的部分去除,具体包括:
沿未篜镀有机材料的边框处进行激光切割。
本发明还提供一种掩膜版,用于在有机材料篜镀前覆盖显示屏,其中,所述掩膜版对应于所述显示屏上设计为开槽区的版面包括:
覆盖所述开槽区边框处的半刻蚀区域和覆盖所述开槽区其余部分的全刻蚀区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造