[发明专利]具有串接处理区域的等离子体腔室

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，包括：

腔室主体，具有第一腔室内部区域和第二腔室内部区域，所述第一腔室内部区域具有第一处理区域，所述第二腔室内部区域具有第二处理区域，所述腔室主体包括：

前壁、与所述前壁相对的后壁、和连接在所述前壁与所述后壁之间的底壁；

部分限定所述第一腔室内部区域的第一内壁和部分限定所述第二腔室内部区域的第二内壁；

第一腔室侧部端口和第二腔室侧部端口，穿过所述底壁设置；

真空端口，穿过所述底壁设置，其中所述底壁限定所述真空端口的第一部分，并且其中所述真空端口是所述处理区域中的每一者的排气路径的至少部分；和

真空壳体，从所述前壁延伸，并且所述真空壳体限定所述真空端口的第二部分；

第一基板支撑件和第一杆，所述第一基板支撑件设置在所述第一处理区域中，所述第一杆耦接到所述第一基板支撑件，所述第一杆延伸穿过所述第一腔室侧部端口；和

第二基板支撑件和第二杆，所述第二基板支撑件设置在所述第二处理区域中，所述第二杆耦接到所述第二基板支撑件，所述第二杆延伸穿过所述第二腔室侧部端口。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述腔室主体包括设置在所述第一处理区域与所述第二处理区域之间的隔壁，所述隔壁分开所述处理区域中的每一者的所述排气路径，并且其中所述隔壁的至少一部分设置在所述真空壳体中。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述底壁具有与所述真空端口相邻的周界并且所述真空端口具有延伸穿过所述底壁的表面面积，并且其中所述真空端口的所述表面面积的至少50％从所述底壁的与所述真空端口相邻的所述周界向外延伸。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述腔室主体进一步包括：第一基板传送端口和第二基板传送端口，所述第一基板传送端口用于将基板装载到所述第一处理区域中，所述第二基板传送端口用于将基板装载到所述第二处理区域中。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述第一基板支撑件具有延伸穿过所述第一杆的第一纵向轴线并且所述第二基板支撑件具有延伸穿过所述第二杆的第二纵向轴线，其中所述真空端口定位在所述第一腔室侧部端口与所述第二腔室侧部端口之间，其中所述第一腔室侧部端口和所述第二腔室侧部端口具有延伸穿过所述第一杆的所述第一纵向轴线和所述第二杆的所述第二纵向轴线的X轴，并且其中所述真空端口朝向所述前壁定位并完全地位于所述第一腔室侧部端口和所述腔室侧部端口的所述X轴下方。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述前壁具有通向所述第一腔室内部区域中的所述第一处理区域的第一检修端口和通向所述第二腔室内部区域中的所述第二处理区域的第二检修端口，其中所述真空端口设置在所述第一检修端口与所述第二检修端口之间，并且其中所述前壁和相对的所述后壁在所述第一检修端口与所述第二检修端口之间是平行的。

7.如权利要求1所述的设备，其中所述真空壳体包括可在打开位置与关闭位置之间移动的盖组件。

8.一种用于处理基板的设备，包括：

腔室主体，具有由隔壁分开的第一处理区域和第二处理区域，所述腔室主体包括：

底壁，为所述第一处理区域和所述第二处理区域定界；

真空端口，具有穿过所述底壁并在所述隔壁下面设置的第一部分，所述真空端口流体地耦接到所述第一处理区域和所述第二处理区域；

前壁，连接到所述底壁；和

真空壳体，连接到所述前壁并且从所述前壁向外延伸，所述真空壳体具有形成在所述真空壳体中的所述真空端口的第二部分。

9.如权利要求8所述的设备，其中所述隔壁延伸到所述真空壳体中。

10.如权利要求8所述的设备，其中所述底壁具有与所述真空端口相邻的周界，所述真空端口具有延伸穿过所述底壁的表面面积，并且其中所述真空端口的所述表面面积的至少50％从所述底壁的与所述真空端口相邻的所述周界向外延伸。