[发明专利]具有串接处理区域的等离子体腔室

说明书

提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁和底壁。第一腔室侧部端口、第二腔室侧部端口和真空端口穿过底壁设置。真空端口是处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且限定真空端口的第二部分。基板支撑件设置在处理区域中的每一者中，并且杆耦接到每个基板支撑件。每个杆延伸穿过腔室侧部端口。

技术领域

本文所述实现方式整体涉及等离子体半导体基板处理系统。更特定地，实现方式涉及具有用于同时处理两个基板的串接处理区域的等离子体腔室。

背景技术

半导体处理一般涉及沉积材料和将材料从基板移除(“蚀刻”)。具有串接处理区域的等离子体腔室在半导体处理中用来允许同时处理两个基板。等离子体腔室包括用于处理至少一个基板的第一腔室侧部和用于处理第二基板的第二腔室侧部。腔室侧部各自包括设置在处理区域中的可移动基板支撑件。每个基板支撑件包括在处理区域内的等离子体或其他处理期间支撑基板的基板支撑件表面。基板支撑件进一步包括延伸穿过位于等离子体腔室的底壁中的腔室侧部端口的杆。

常规的是，使用具有经由真空端口耦接到两个处理区域的真空泵的共用泵送系统将等离子体腔室抽气至低于大气压力(即，真空)。真空端口位于等离子体腔室的底壁中并且通向两个处理区域。真空泵将处理的副产物从等离子体腔室内部通过真空端口泵送出。共用泵送系统减少部件和操作成本。

等离子体腔室(诸如上述)在基板处理中越来越多使用先进技术(包括电、射频(RF)、气流和热控制)来处置经减小的器件几何形状并且实现基板均匀性，从而具有改善的良率和高生产量而每基板的成本较低。电力线、供气线和控制线(统称功用线)用于将基板支撑件中使用的先进技术通过杆耦接到气源、电源和位于等离子体腔室外的控制器。对基板支撑件的改善通常受限于杆大小，并且在基板支撑件内没有可用于铺设实现附加先进技术需要的附加功用线的空间。

因此，需要用于处理设备的改善的方法和设备。

发明内容

本公开内容的实施方式描述用于处理基板的方法和设备。在一个示例中，用于处理基板的设备包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体包括前壁、与前壁相对的后壁、和连接在前壁与后壁之间的底壁。第一腔室侧部端口和第二腔室侧部端口穿过底壁设置，并且真空端口设置在底壁上。底壁限定真空端口的第一部分，并且真空端口是第一处理区域和第二处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且真空壳体限定真空端口的第二部分。第一基板设置在第一处理区域中。第一杆耦接到第一基板支撑件，并且第一杆延伸穿过第一腔室侧部端口。第二基板支撑件设置在第二处理区域中，并且第二杆耦接到第二基板支撑件。第二杆延伸穿过第二腔室侧部端口。

在另一实施方式中，用于处理基板的设备包括腔室主体，腔室主体具有由隔壁分开的第一处理区域和第二处理区域。腔室主体具有底壁和真空端口，底壁为第一处理区域和第二处理区域定界，真空端口具有穿过底壁设置的第一部分。真空端口流体地耦接到第一处理区域和第二处理区域。腔室主体进一步包括前壁和真空壳体，前壁连接到底壁，真空壳体连接到前壁并且从前壁向外延伸。真空壳体具有形成在真空壳体中的真空端口的第二部分。