[发明专利]一种Micro-LED芯片、显示屏及制备方法有效
| 申请号： | 201810191229.6 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110246931B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 韦冬;邢汝博;刘会敏;杨小龙;王建太 | 申请（专利权）人： | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/38;H01L33/48 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 显示屏 制备 方法 | ||
1.一种Micro-LED芯片，包括，蓝宝石衬底、N型GaN层、量子阱发光层、P型GaN层、ITO层、N型接触电极、反射电极，以及绝缘层，其特征在于，所述反射电极为上宽下窄的形状，且其上表面高于所述ITO层的上表面,所述反射电极的上表面用于与Micro-LED显示屏驱动电路基板下部的焊料凸点焊接；
所述绝缘层位于所述Micro-LED芯片的上表面，其高度比所述反射电极的高度高。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述N型接触电极位于所述N型GaN层的上表面，所述N型接触电极的上表面与所述P型GaN层上表面处于同一高度。
3.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述反射电极为倒梯形。
4.一种Micro-LED显示屏，包括Micro-LED芯片、驱动电路基板，其特征在于，所述Micro-LED芯片采用权利要求1-3任一项所述的Micro-LED芯片。
5.一种Micro-LED显示屏的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层；由上至下依次刻蚀所述P型GaN层、所述量子阱发光层以及所述N型GaN层，形成第一沟槽；在所述P型GaN层上表面生长ITO层，并对所述ITO层进行刻蚀，生成第二沟槽；在所述第一沟槽中生成N型接触电极；在所述N型接触电极上表面以及所述第二沟槽中生成上宽下窄的形状的反射电极；在Micro-LED芯片表面沉积绝缘层并对所述绝缘层进行蚀刻，露出所述反射电极；将Micro-LED显示屏驱动电路基板下部的焊料凸点与所述反射电极的上表面进行焊接，其中，所述绝缘层的上表面高于所述反射电极上表面。
6.根据权利要求5所述的Micro-LED显示屏的制备方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽中生成N型接触电极的步骤，是在所述第一沟槽的底部生成N型接触电极，所述N型接触电极的上表面与所述P型GaN层上表面处于同一高度。
7.根据权利要求5所述的Micro-LED显示屏的制备方法，其特征在于，所述上宽下窄的形状的反射电极为倒梯形的反射电极。
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