[发明专利]一种Micro-LED芯片、显示屏及制备方法

说明书

一种Micro‑LED显示屏的制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层；由上至下依次刻蚀P型GaN层、量子阱发光层以及N型GaN层，形成第一沟槽；在P型GaN层上表面生长ITO层，并对其进行刻蚀，生成第二沟槽；在所述第一沟槽中生成N型接触电极；在N型接触电极上表面以及所述第二沟槽中生成上宽下窄的形状的反射电极；在Micro‑LED芯片表面沉积绝缘层并对所述绝缘层进行蚀刻，露出所述反射电极；将驱动电路基板与所述反射电极进行焊接。本发明还提供一种Micro‑LED芯片及显示屏，增加了Micro‑LED芯片焊接的结合力，提高了Micro‑LED显示屏的成品率，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及LED显示技术领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片、显示屏及制备方法。

背景技术

微发光二极体显示器(Micro LED Display)为新一代的显示技术，采用微型化LED阵列，也就是将LED结构设计进行薄膜化、微小化与阵列化，使其体积约为目前主流LED大小的1％，每一个像素都能定址、单独驱动发光，将像素点的距离由原本的毫米级降到微米级。Micro LED优点，包括，低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、效率较高等，其功率消耗量约为LCD的10％、OLED的50％。而与同样是自发光显示的OLED相较之下，亮度比其高30倍，且分辨率可达1500PPI(像素密度)，相当于Apple Watch采用OLED面板达到300PPI的5倍之多，另外，具有较佳的材料稳定性与无影像烙印。

现有的微发光二极体显示器结构，随着LED芯片尺寸的缩小，焊盘尺寸会也会成倍减小，使得芯片与屏体基板焊接的结合力会随之减小，LED芯片脱焊的概率增加，最终导致Micro-LED显示屏的坏点数量成倍增多。特别在柔性、折叠、以及拉伸等Micro-LED屏体中，在使用过程中，对焊接的结合力要求更高，因脱焊致使屏幕出现坏点的数量会更多。

发明内容

为了解决现有技术存在的不足，本发明提供一种Micro-LED芯片、显示屏及制备方法，防止Micro-LED芯片与屏体基板焊接时的脱焊现象。

为了实现上述目的，本发明提供的Micro-LED芯片，包括，蓝宝石衬底、N型GaN层、量子阱发光层、P型GaN层、ITO层、N型接触电极、反射电极，以及绝缘层，其中，

所述反射电极为上宽下窄的形状，且其上表面高于所述ITO层的上表面。

进一步地，所述N型接触电极位于所述N型GaN层的上表面，所述N型接触电极的上表面与所述P型GaN层上表面处于同一高度。

进一步地，所述绝缘层位于所述Micro-LED芯片的上表面，其高度比所述反射电极的高度高。

进一步地，所述反射电极为上宽下窄的形状。

进一步地，所述反射电极为倒梯形。

进一步地，所述绝缘层位于芯片的上表面，其高度比所述反射电极的高度高。

为了实现上述目的，本发明提供的Micro-LED显示屏，包括Micro-LED芯片、驱动电路基板。

为了实现上述目的，本发明提供的Micro-LED显示屏的制备方法，包括以下步骤：

在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层；

刻蚀P型GaN层、量子阱发光层以及N型GaN层，形成第一沟槽；

在P型GaN层上表面生长ITO层，并对其进行刻蚀，生成第二沟槽；

在所述第一沟槽中生成N型接触电极；

在N型接触电极上表面以及所述第二沟槽中生成上宽下窄的形状的反射电极；