[发明专利]氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统

权利要求书

1.一种氧化膜去除方法，用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于所述图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除所述含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法的特征在于，包括以下工序：

通过利用碳系气体的等离子体进行的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于所述图案的底部的所述含硅氧化膜去除；

通过化学蚀刻来去除所述各向异性等离子体蚀刻后的所述含硅氧化膜的残余部分；以及

去除在所述化学蚀刻后残留的残渣，

其中，所述化学蚀刻是无等离子体的、利用反应性气体进行的蚀刻。

2.根据权利要求1所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

所述图案的底部的所述含硅氧化膜为形成于所述图案的底部的所述硅部分的表面的自然氧化膜。

3.根据权利要求2所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

所述被处理基板用于形成鳍式场效应晶体管，具有硅鳍和形成于该硅鳍的前端部分的、由Si或SiGe构成的外延生长部，所述外延生长部构成所述硅部分。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

通过利用含H₂气体的等离子体进行的含H₂等离子体处理，来进行去除所述残渣的工序。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

还包括以下工序：在所述各向异性等离子体蚀刻后，去除残留于所述图案的侧壁的碳系保护膜，

其中，在去除所述残渣的工序中，去除由于所述化学蚀刻而产生的反应产物。

6.根据权利要求5所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

去除所述碳系保护膜的工序包括利用含H₂气体的等离子体进行的含H₂等离子体处理。

7.根据权利要求6所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

在去除所述碳系保护膜的工序中，在向所述被处理基板供给含O₂气体之后进行所述含H₂等离子体处理。

8.根据权利要求6所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

通过利用H₂气体和N₂气体的等离子体进行的H₂/N₂等离子体处理，来进行去除所述碳系保护膜的工序。

9.根据权利要求6所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

通过利用H₂气体和NH₃气体的等离子体进行的H₂/NH₃等离子体处理，来进行去除所述碳系保护膜的工序。

10.根据权利要求5所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

通过O₂气体等离子体处理来进行去除所述碳系保护膜的工序。

11.根据权利要求1至3中的任一项所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

通过氟化碳系气体或氟化烃系气体的等离子体来进行所述各向异性等离子体蚀刻。

12.根据权利要求1至3中的任一项所述的氧化膜去除方法，其特征在于，将压力设为0.1Torr以下来进行所述各向异性等离子体蚀刻。

13.根据权利要求1至3中的任一项所述的氧化膜去除方法，其特征在于，

通过使用NH₃气体和HF气体的气体处理来进行所述化学蚀刻。

14.根据权利要求1至3中的任一项所述的氧化膜去除方法，其特征在于，所述绝缘膜包括SiO₂膜。